1) Ionized Cluster Beam (ICB)
离子团束
1.
In this paper, the Ionized Cluster Beam (ICB) deposition -Time of Flight Mass Spectrometer (TOFMS) combined system has been fabricated.
本文描述了离子团束(ICB)镀薄膜装置与飞行时间质谱计(TOFMS)联合系统的研制,此系统不仅可以制备无机材料和有机聚合物薄膜而且还能制备金属超微粒子-有机聚合物薄膜。
2) ionized-cluster beam deposition
离子团束淀积
3) MeV atomic cluster beams
MeV原子团簇离子束
1.
Production, identification of MeV atomic cluster beams and their interactions with solids;
MeV原子团簇离子束的产生、鉴定及其与固体的作用
4) ionized cluster beam
离化团束
1.
Carbon nitride thin films have been prepared by reactive ionized cluster beam (RICB)technique on Si(100)and NaCl(100) substrates, using low molecular weight polyethylene as evaporation material and ammonia as reactive gas.
用反应离化团束（ＲＩＣＢ）法，以低分子量聚乙烯为蒸发材料，氨气为反应气体，在ＮａＣｌ（１００）和Ｓｉ（１００）衬底上淀积Ｃ—Ｎ薄膜。
5) ionized cluster beam evaporation system
成团离子线束蒸镀系统
6) electron bunch
电子束团
1.
This paper addresses the output characteristics of real electron bunches accelerated with ultra-intense laser pulse in vacuum by the capture and acceleration scenario (CAS) scheme.
通过仔细研究俘获加速CAS(captureandaccelerationscenario)机制中电子束团的输出特性 ,发现其出射电子有 3类不同的运动轨道即掠过 (pass by)、非弹性散射 (IS)、CAS 。
补充资料：离子团束外延
离子团束外延
ion cluster beam epitaxy
{一z一t以onshu四a一yan离子团束外延(ion eluster bea伊epi‘axy) 在真空中利用离子团束输运技术进行半导体薄膜材料制备的一种方法。其基本原理是:在真空装置中石墨增祸内放置待沉积材料，增竭盖上有一小孔称为喷嘴，根据所用源材料增竭加热到预期温度，源材料在柑涡内气化，产生1、loPa蒸汽压，真空室本底压力为1『叹Pa，气态源从喷嘴喷射出来进入高真空区，经历绝热膨胀过程，温度下降，原子凝聚成团。喷嘴上方的离化器使部分原子团离化成离子团，衬底偏谈几千伏负压。离子团被加速和未离化的中性原子团共同沉积在衬底表面上。原子团和离子团是松散的非晶结构，到达表面碎裂为原子。控制衬底温度和加速电压，沉积膜可以是非晶、多晶和单晶。 沉积束中离子团具有能量，对结晶膜的生长动力学产生很大影响。提高了原子表面迁移率，增强了沉积原子的粘附系数，能在比较低的温度下生长同质或异质单晶层。也可用丁:绝缘介质和金属膜沉积。 (余怀之)
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参考词条