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1)  microwave near-field technique
微波近场技术
1.
In this paper, we present our low temperature scanning microwave near-field microscope system by combining the microwave near-field technique with a precisely designed low temperature sample stage.
微波近场技术是研究材料表面区域电磁性质的有效手段 ,结合低温技术则可将这种技术的应用拓展到更广的范围 。
2)  near-field optics microscope technique
近场光学显微技术
3)  scanning near field optical microscopy
扫描近场光学显微技术
1.
Using scanning near field optical microscopy, the photoluminescence of InGaP microdisks with radius about 5μm and 10μm, respectively, was acquired.
采用反射式扫描近场光学显微技术分别对直径为5μm和10μm的图钉式InGaP光学微盘进行了形貌和光致发光的近场图样测量和研究,并与由常规光学荧光显微镜测得的荧光图象相比较。
4)  electromagnetic field and microwave technology
电磁场与微波技术
1.
The graduation project in electromagnetic field and microwave technology requires the supervisors to guide the students in terms of the writing purpose and significance, methods of topic and resources selection, experiment conduction, outline and thesis writing and gradually develop the students\' abilities of problem analysis and solving using the specialty knowledge they have learnt.
电磁场与微波技术方向的毕业设计要求指导教师从毕业设计的目的和意义、选题的方法以及资料的筛选、实验的指导、提纲的拟定和论文的撰写等方面对学生加以指导,帮助其完成毕业论文,并通过论文的指导逐步培养起学生运用所学的专业知识来分析问题和解决问题的能力。
5)  microwave technology
微波技术
1.
Development progress of microwave technology application in catalytic field;
微波技术在催化领域中应用的研究进展
2.
Study on water extraction process of Herba epimedii with microwave technology;
微波技术在中药淫羊藿饮片水提取过程中的应用研究
3.
Clinical value of computer microwave technology for endodontics by one-visit;
电脑微波技术在根管治疗术一次法中应用的临床评价
6)  microwave irradiation
微波技术
1.
The synthesis of TBHQ with the help of microwave irradiation was studied.
报道了微波技术制备2-叔丁基对苯二酚(TBHQ)的方法,考察了微波功率、微波辐射时间、催化剂、溶剂等对反应的影响,确定了最佳反应条件:在微波辐射功率400 W,反应时间30 min的条件下,产物收率达52。
2.
The use of microwave irradiation has attracted much attention in organic synthesis in recent decades.
报道了采用微波技术制备乙酰苯胺的方法,同时对影响收率诸因素进行考察,确定了最佳反应条件:微波辐射功率600W,苯胺与冰醋酸的摩尔比为1∶2。
补充资料:低噪声微波技术
      降低微波接收设备内部噪声的技术。其主要内容是微波低噪声(固态)器件技术和相应的微波电路技术,还涉及低温物理、量子力学等学科。微波波段接收设备的性能主要受其内部噪声的影响,外差式接收机的内部噪声取决于低噪声前端,可用噪声系数F(分贝)、有效噪声温度Te(K)或噪声量度M(分贝)等表征。接收设备的外部噪声取决于天空噪声温度极限,频率范围为0.1~1吉赫的外部噪声主要是银河系噪声;1~10吉赫范围内主要是宇宙背景噪声(3.4K),10吉赫以上则取决于大气噪声(对外空系统取决于宇宙背景噪声和光子噪声)。前端的有效噪声温度应与具体条件下作用于其输入端的外部噪声温度(主要是天线噪声温度Ta)相当。
  
  研究概况  随着半导体技术的发展,半导体器件以其明显的优越性逐步取代了电子管,因此,低噪声技术基本上就是固态低噪声技术。低噪声技术研究起始于40年代用于雷达的点触式半导体二极管混频器。自1958年变容二极管问世后,60年代起参量放大器(参放)得到广泛应用,同期还相继研制成量子放大器和隧道二极管放大器(隧放)。60年代中期,双极型晶体管的使用频率提高到微波波段,制成了L波段低噪声双极型晶体管放大器。1971年制成了微波砷化镓肖特基势垒栅的场效应晶体管,使低噪声技术进入了一个新的阶段。场效应晶体管放大器在高频率和低噪声方面显著优越于双极型晶体管,迅速取代了隧放和行波管放大器,且有逐步取代参放之势。现代在短毫米波段,二极管混频器几乎是唯一实用的低噪声检测手段。自60年代以来,对利用超导的约瑟夫逊结器件制成低噪声混频器和参放不断进行探索研究,已显示其在亚毫米至远红外波段的优越性(见超导性的微波应用)。
  
  应用  低噪声微波技术在通信、雷达、遥感、电子对抗等系统以及射电天文、精密测量等应用中起着重要的作用。在这些方面,除了低噪声指标之外,往往还须满足功率增益、频带宽度、线性工作范围、脉冲功率容量、抗电磁干扰、抗核辐射,以及适应恶劣环境的能力等技术要求。
  
  
  性能与水平  80年代前期的微波低噪声器件性能见图。量子放大器在 1~30吉赫频率有最低有效噪声温度(接近宇宙背景温度),但必须致冷至4K,技术复杂,设备庞大而昂贵,且频带很窄(相对带宽小于 1%)。参放提供常温下最低的有效噪声温度,致冷于20K还可进一步降低,其相对带宽可达20%,但在毫米波段性能和应用因泵源尚难解决而受到限制。在 1吉赫以下,双极型晶体管常用于廉价的放大器,而在1吉赫以上则广泛应用场效应晶体管放大器,它在常温下的噪声性能接近参放,在20K时可与参放媲美。80年代前期,场效应晶体管进入毫米波段(实现60吉赫噪声系数 7.1分贝,相应增益5.5分贝)。场效应晶体管具有稳定性好、线性工作范围大、频带宽(可实现信频程,甚至0~18吉赫的宽带平坦特性)、体积小、致冷简易等优点,但抗烧毁和耐峰值功率的能力比参放约低一个数量级。晶体管放大器适于制作微波集成电路。
  

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参考词条