1) CdSe film electrode
CdSe膜电极
2) CdSe/PMeT composite film electrode
CdSe/PMeT复合膜电极
3) CdSe/P3CT composite film electrode
CdSe/P3CT复合膜电极
4) Nanocrystalline CdSe electrodes
CdSe纳晶薄膜电极
5) nanocrystalline TiO2/CdSe film electrode
TiO2/CdSe纳晶复合薄膜电极
6) CdSe film
CdSe薄膜
1.
Preparation of CdSe film with chemical bath deposition;
化学水浴沉积法制备CdSe薄膜
补充资料：汞膜电极
分子式：
CAS号：
性质：是在某种导电的基体上涂敷一层薄汞膜制成的电极。作为基体的材料，应具备电化学惰性、对汞有良好的化学稳定性及导电性能良好等特点。常用的基体材料为玻碳。玻碳汞膜电极的制造：可将玻碳薄片在稀汞盐溶液中，电解镀上一层汞膜；也可在试液中加入少量汞盐，如Hg(NO3)2，在电解富集过程中，与被测物同时在玻碳上析出，形成汞膜和汞齐。后一种方法称为同位镀汞。汞膜的厚度可由溶液中汞盐浓度和电解时间来控制。汞膜电极既具有汞电极的特性，又具有较高的面积/体积比率。由于汞膜薄，电极面积大，搅拌速度可加快，因而电沉积效率高。汞膜电极溶出峰高而尖，分辨能力强。它的缺点是重现性较差；膜薄易使溶解的金属达到过饱和，形成金属间化合物，产生相互干扰；易受支持电解质组分的影响等。
CAS号：
性质：是在某种导电的基体上涂敷一层薄汞膜制成的电极。作为基体的材料，应具备电化学惰性、对汞有良好的化学稳定性及导电性能良好等特点。常用的基体材料为玻碳。玻碳汞膜电极的制造：可将玻碳薄片在稀汞盐溶液中，电解镀上一层汞膜；也可在试液中加入少量汞盐，如Hg(NO3)2，在电解富集过程中，与被测物同时在玻碳上析出，形成汞膜和汞齐。后一种方法称为同位镀汞。汞膜的厚度可由溶液中汞盐浓度和电解时间来控制。汞膜电极既具有汞电极的特性，又具有较高的面积/体积比率。由于汞膜薄，电极面积大，搅拌速度可加快，因而电沉积效率高。汞膜电极溶出峰高而尖，分辨能力强。它的缺点是重现性较差；膜薄易使溶解的金属达到过饱和，形成金属间化合物，产生相互干扰；易受支持电解质组分的影响等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条