1) Rf-bias
射频偏置
2) carrier-frequency offset
载频偏置
3) RF bias voltage
射频偏压
1.
In order to understand the relationship between RF bias voltage on bottom electrode and other process parameters,we designed an experiment.
对于上下电极双射频源的电感耦合(ICP)等离子体刻蚀设备的关键工艺参数——下电极射频偏压的变化特性进行了实验与物理定性分析。
4) Radiation bias
辐射偏置
5) offset launching
偏置发射
6) subcarrier frequency offset
副载频偏置
补充资料：偏置屈服应力
分子式：
CAS号：
性质：应力-应变曲线偏离线性达到规定应变百分数的应力。也有称作残余变形屈服应力。该规定的变形量是人们事先商定的（偏置）。这种场合往往是由于该材料的应力、应变曲线不出现明显的屈服点，故作此规定。以统一衡量材料的力学性能，便于互相比较。当然，规定的该值不应超过该材料的拉伸强度值。
CAS号：
性质：应力-应变曲线偏离线性达到规定应变百分数的应力。也有称作残余变形屈服应力。该规定的变形量是人们事先商定的（偏置）。这种场合往往是由于该材料的应力、应变曲线不出现明显的屈服点，故作此规定。以统一衡量材料的力学性能，便于互相比较。当然，规定的该值不应超过该材料的拉伸强度值。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条