1) Hg1-x CdxTe materials
Hg1-xCdxTe材料
2) Hg 1-x Cd x Te
Hg1-xCdxTe
3) Hg_ 1-xCd_xTe films
Hg1-xCdxTe薄膜
4) PV-type Hg1-xCdxTe detector
PV型Hg1-xCdxTe探测器
5) Hg1-xCdxGa2S4
Hg1-xCdxGa2S4晶体
1.
Based on the theories of phase matching and acceptable composition ratio,the influence of composition ratio on the frequency conversions of two kinds(phases)of Cd doped Hg1-xCdxGa2S4 was investigated.
在相位匹配和可接受掺杂比理论的基础上,针对Cd掺杂的不同相Hg1-xCdxGa2S4晶体,研究了掺杂比对频率转换的影响。
6) Hg1-xMnxTe
Hg1-xMnx Te
1.
According to the special physical and chemical properties of narrow band semiconductor Hg1-xMnxTe,different concentrations of Br2-MeOH were used for the chemical polishing of Hg1-xMnxTe wafers.
本文根据窄禁带半导体Hg1-xMnx Te的物理、化学特性,采用不同浓度的Br2-MeOH作为抛光液对Hg1-xMnx Te进行化学抛光,发现用3%的Br2-MeOH腐蚀液时腐蚀速率平稳且容易控制,能有效去除表面划痕,得到光亮、整洁表面。
补充资料：材料界面(见材料表面)
材料界面(见材料表面)
interface of materials
材料界面interfaee of materials见材料表面。
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参考词条