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1)  K-shell ionization cross-section
K壳层电离截面
1.
In this paper, we give a description of recent progress on the measurements of electron-impact K-shell ionization cross-sections of atoms in the keV energy range.
首先评述了近年来该领域的一些研究进展,并通过测量Cr元素在小于26keV能量范围K壳层电离截面的例子介绍了研究组的实验方法。
2)  inner-shell ionization cross-section
内壳层电离截面
1.
The sensitivity of the correction factor,which describes the combined effect of finite film thickness and the thick substrate in the measurement of atomic inner-shell ionization cross-sections by low-energy electron impact,to the adopted ionization cross-sections in the Monte Carlo simulation is discussed.
在Monte Carlo方法模拟keV电子碰撞薄膜/厚衬底靶过程中,输入材料数据中采用的内壳层电离截面数据不同,得到的反映膜厚及衬底对电离截面测量结果影响的修正因子值也有差别。
2.
The study of atomic inner-shell ionization cross-sections by low-energy electron impact is significant in both theoretical researches and practical applications.
低能电子碰撞原子内壳层电离截面测量的研究在理论和实际应用方面都具有重要意义。
3)  inner-shell ionization of atoms
原子内壳层电离截面
4)  L-shell ionization cross section
L壳层总平均电离截面
5)  Inner-shell ionization cross sections
内壳电离截面
6)  K shell
K层,K电子层,K壳层
补充资料:电离截面
分子式:
CAS号:

性质: 电离过程中单电离反应(A→A++e)、多电离反应(A→Aq++qe)发生的概率总和。可用下式表示:称作总电离截面。常用单位是cm2或b,mb

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