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1)  Polyatomic polar semiconductors
多原子极性半导体
2)  polyatomic semi-infinite polar crystals
多原子半无限极性晶体
3)  Polyatomic polar crystals
多原子极性晶体
1.
In this paper,effect of many phonons interaction on the ground state energy and the effective mass of weak-coupling bulk polaron for the polyatomic polar crystals in magnetic field were studied.
研究了磁场中多原子极性晶体中多声子相互作用对弱耦合体极化子基态能量和有效质量的影响。
4)  polar semiconductor
极性半导体
1.
Epitaxial growth of polar semiconductors on nonpolar substrates often leads to structural defects known as antiphase domains (APDs) due to constituent atoms occupying improper sublattices.
极性半导体GaAs在非极性半导体Si表面外延生长 ,普遍选用 (10 0 )面Si材料作衬底 ,外延时由于Ga ,As原子占据不合适的晶格位置 ,通常导致结构缺陷———反相畴产生 ,而选用(10 0 )面偏向 [0 11]方向 4°或 (2 11)面的Si作衬底 ,可以有效消除反相
2.
In this paper,the properties of the surface magnetopolaron weakly coupled with surface optical phonons and surface acoustic phonons in polar semiconductor were studied.
本文研究极性半导体中电子与表面光学声子和表面声学声子均为弱耦合时表面磁极化子的性质 ,讨论反冲效应中不同波矢声子之间相互作用对表面磁极化子有效质量的影响。
5)  seminconductor?element cluste
半导体原子团族
6)  monoatomic semi-conductor
单原子半导体<冶>
补充资料:半导体导电性(见半导体的导电与电荷输运)


半导体导电性(见半导体的导电与电荷输运)
electrical conductivity of semiconductor

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参考词条