1) interferometric lithography(IL)
相干刻蚀(IL)
2) dry etching
干法刻蚀
1.
Effect of dry etching on light emission of InAsP/InP SMQWs;
干法刻蚀影响应变量子阱发光的机理研究
2.
Research of dry etching simulator in micromachining;
微加工干法刻蚀工艺模拟工具的研究现状
3.
Research of CCl_2F_2 plasma dry etching InSb-In thin film;
CCl_2F_2等离子体干法刻蚀InSb-In薄膜的研究
4) dry-etching
干法刻蚀
1.
The testing technologies of SiC MESFET on manufacturing process were presented,including identification chip surface,dry-etching monitoring,aided testing of isoplanar,the test of the specific contact resistance of ohmic contact and other various testing technologies.
介绍了SiC MESFET芯片加工工艺中的主要在片检测技术,包括芯片表面情况判定、干法刻蚀的监测、等平面工艺的辅助测试、欧姆接触比接触电阻值的测试以及各种中间测试技术。
6) vapor-phase etching
气相刻蚀
1.
HF vapor-phase etching was studied under different temperatures and different conditions for fabrication of suspended nano structure.
针对纳米悬浮结构的制作,对不同温度和不同气相条件下的氢氟酸(HF)气相刻蚀进行了研究。
补充资料：相干散射和非相干散射
再辐射的光量子频率和被吸收的光量子频率准确相等的散射过程称为相干散射。在相干散射的情况下，源函数准确地等于平均辐射强度。再辐射的光量子频率和被吸收的光量子频率不相等的散射过程称为非相干散射。在天体物理中，存在一系列因素使散射过程成为非相干散射。主要的因素是：原子的能级有一定的宽度、原子的热运动和湍动以及压力效应等。对于非相干散射，源函数是相当复杂的。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条