1) fractional quantum Hall effect
分数量子霍尔效应
1.
The theory of Hall effect and integer quantum and fractional quantum Hall effect and their practical applications are presented from the historical development of Hall effect and classical Hall effect in this paper.
以霍尔效应的发展历史为脉络 ,从经典霍尔效应入手 ,系统地阐述了霍尔效应的原理、整数量子霍尔效应、分数量子霍尔效应和它们在实际中的应用 ,并以此展望物理学发展的未来前
2.
A brief introduction to the physical phenomena and mechanism involved in the fractional quantum Hall effect will be presented.
１９９８年１０月，三位美国科学家，ＤａｎｉｅｌＴｓｕｉ（崔琦，美籍华裔科学家）、ＨｏｒｓｔＳｔｏｒｍｅｒ（美籍德裔科学家）和ＲｏｂｅｒｔＬａｕｇｈｌｉｎ，因他们在发现分数量子霍尔效应方面所作出的杰出贡献而获得诺贝尔物理学奖。
2) the integer quantum Hall effect
整数量子霍尔效应
3) quantum Hall effect
量子霍尔效应
1.
Starting from the classical Hall effect, the quantum Hall effect and some involved new concepts and practical applications are introduced rather systematically and explained in simple terms.
从经典的霍尔效应开始 ,比较系统地、深入浅出地介绍了量子霍尔效应及其所涉及的一些新概念和实际应
2.
In this paper we shall highlight its novel physical properties,quantum Hall effect,many-body interactions,and weak localization,as well as its applications in micro-/nanoelectronics,molecular electronics and spintronics.
文章详细介绍了Graphene奇特的物理性质(多体相互作用、量子霍尔效应、双极场效应、弱局域化效应等),并对其在微纳米器件、分子电子学、自旋电子学等领域的应用进展给出了综述。
4) fractional quantum Hall effect(FQHE)
分数霍尔效应
5) Fraction Quantum Hall effect
分数量子霍耳效应
1.
This paper , tells about the experiments systematically beginning from the discovery of Hall effect by Hall , to the present Quantum Hall effect and Fraction Quantum Hall effect.
本文从霍耳发现霍耳效应开始,直到现在的量子霍耳效应和分数量子霍耳效应,较系统地讲述了这个实验。
6) AC quantum Hall effect
交流量子化霍尔效应
1.
The DC resistance natural standard based on quantum Hall effect acquires outstanding success,which urges the effort on the research of AC quantum Hall effect to set up more accurate AC resistance standard.
基于直流量子化霍尔效应建立的高水平直流电阻标准,促使人们积极研究交流量子化霍尔效应,以期建立更高准确度交流电阻标准的技术方案。
补充资料：整数量子霍尔效应（integerquantumHalleffect）
整数量子霍尔效应（integerquantumHalleffect）
二维电子气系统在强磁和低温条件下的霍尔效应表现出明显的量子化性质。1980年冯克利青（VonKlitzing）等人首先观测到了量子化霍尔效应。他们测量了SiMOSFET反型层中二维电子气系统中的电子在15T强磁场和低于液He温度下的霍尔电压VH，沿电流方向的电势差VP与栅压VG的关系。当磁场垂直于反型层，磁感应强度B与沿反型层流动的电流强度I保持不变时，改变栅压VG，可改变反型层中载流子密度ns。在正常的霍尔效应中应有VH∝1/VG（如果ns∝VG），但在强磁和低温下，某些VG间隔内，VH曲线出现平台，对应于平台时的VP最小趋近于零，由此得到的霍尔电阻ρXY=-VH/I是量子化的，其值为
`\rho_{XY}=\frac{h}{iq^2},i=1,2,3,\ldots`
它只与物理常数h（普朗克常数）和q有关。霍尔电阻与整数i相联系的量子化性质称整数量子霍尔效应。在1K以下，实验还进一步观察到i为分数的霍尔平台，即分数量子化霍尔效应。在调制掺杂的GaAs-GaAlAs等异质结构中也能观测到量子化霍尔效应。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条