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1)  SiGe-OI
绝缘层上的锗硅
1.
A new SOI structure, SiGe-OI, which appeared recently integrates the advantages of both SOI and SiGe, and has become one of the new frontiers in the microelectronics field.
SiGe-OI(SiGe -on -insulator ,绝缘层上的锗硅 )新型材料是最近几年来才出现的一种新型SOI材料 ,它同时具备了SOI技术和SiGe技术的优势 ,因而成为当前微电子研究领域的最前沿课题之一 。
2)  SiGe-on-insulator
绝缘体上的硅锗
1.
SiGe-on-insulator fabricated by oxidation enhanced SIMOX;
氧化增强注氧隔离工艺制备绝缘体上的硅锗
3)  SGOI
绝缘体上的锗硅
4)  Germanium-on-insulator(GOI)
绝缘层上的锗(GOI)
5)  SiGe-On-Insulator(SGOI)
绝缘体上的锗硅(SGOI)
6)  Silicon-on-insulator(SOI)
绝缘层上的硅(SOI)
补充资料:含锗铁矿鼓风炉挥发提锗


含锗铁矿鼓风炉挥发提锗
extraction of germanium from iron ore containing germanium by volatilization in blast furnace

氧化物和硫化物形态存在。这些锗化物在高温、弱还原气氛下形成易挥发的GeS、GeS:和GeO进入烟尘。通过控制熔炼温度和还原气氛,就可使锗挥发入烟尘得到提取。 含锗铁矿按焦比0.6配入焦炭和一定量熔剂后,加入鼓风炼铁炉内。炉内料柱高1.2~1.6m。鼓入风压2.9一4.4kPa、风量为15m3/min的空气,在1523一1773K温度和控制CO:(CO+COZ)~0.6一0.7弱还原气氛下进行熔炼。在熔炼过程中,炉顶温度控制在873一923K。在此熔炼条件下,铁矿中锗的大部分以Ges、GesZ、Geo的形态挥发入烟气。烟气先经重力沉降器,再进入旋涡除尘器,然后通过空气冷却管道,最后用布袋收尘器收得锗尘。 适当延长鼓风炉的高温区,是提高锗挥发率的关键。控制炉内气氛,则是影响锗挥发率的另一重要因素。炉内气氛的还原性过强,部分铁矿被还原成铁,部分化合态锗也被还原成金属锗,二者形成合金。合金一部分混入炉渣,另一部分沉积于炉缸,从而降低锗的回收率。为达到所需的还原气氛和高的熔炼温度,使作业能连续而顺利地进行,必须造流动性好的渣。如造成分为510:25%~30%、FeO45%一50%、AIZO:10%一15%及CaOS%的渣型,并实施作业区按高度分布的控温制度,使风口高温区延长。收得的重力尘和旋涡尘,可制团后返回鼓风炉熔炼。 含锗0.3%~。.6%的冷却尘和含锗0.6%一1.35%的布袋尘,按烟尘的含锗品位分别经酸浸出后,所得酸浸出母液送萃取、丹宁沉淀、焙烧,或直接送丹宁沉淀、焙烧得锗精矿。锗精矿进一步采用经典氛化法提锗产出Geo:产品。炉渣含锗0.001%一0.002%,选矿后送炼铁厂综合利用。炼得的锗铁合金含锗大于1%,可用电解法或高温氯化法分别回收锗和铁。此法的工艺流程如图。 此法产出的渣量大,约25%的锗随渣流失,挥发过程的锗回收率仅55%左右,成本很高。单纯用含锗一自 酸浸出液一详乖协一二 锗水相丹宁锗一浮中 丹宁锗锗精矿臼 G赶UZ产品 含锗铁矿鼓风炉挥发提锗流程honzhetiekuang gufenglu hu{fa tlzhe含锗铁矿鼓风炉挥发提锗(extraetion ofgermanium from iron ore eontaining ger-manium by volatilization in blast furnaee) 在鼓风炉中于高温、弱还原性气氛条件下熔炼含锗铁矿,使锗挥发进入烟尘的锗回收方法。 中国在1964年前曾用这种方法从含锗铁矿中回收锗。保加利亚、日本和前苏联都用类似方法进行过从含锗铁矿中回收锗的试验研究。 含锗铁矿一般含锗0.003%~0.01%,多以铁矿石为原料提锗,因在经济上不合算,已停止使用。
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