1) Bi system oxide superconductor
Bi系超导氧化物
2) Y series、Bi series oxide superconductors
Y系、Bi系氧化物超导体
3) Bi-Based Cuprates
Bi系铜氧化物
4) Bi-based oxide thin film
Bi系氧化物薄膜
1.
Using the principle of silica gel adsorbed-desorbed ozone,a homemade ozone concen- trating apparatus was devised,and the high-concentration ozone was used as oxide source in molecular beam epitaxy(MBE)to prepare Bi-based oxide thin films.
利用硅胶吸附-解吸臭氧原理自制了臭氧浓缩装置,通过此装置制备的高浓度臭氧作为分子束外延制备Bi系氧化物薄膜的氧化源,在臭氧浓缩装置中,硅胶温度保持在-85℃左右,工作6 h,可获得浓度(摩尔分数)高于95%的臭氧,当臭氧浓缩装置中压强保持在1。
5) Bi-based superconductor
Bi系超导体
6) Bi-system superconductor
Bi系超导体
1.
The adsorption mechanism is analyzed by means of characterization of the crystal structure of Bi-system superconductor.
用傅氏变换红外光谱（FTIR）研究了不同方法制备的Bi系超导体原始粉末研磨过程中；自环境气相中的化学吸附行为。
补充资料：铊系氧化物超导体
分子式：
CAS号：
性质：一种含铊的铜基氧化物超导陶瓷。主要有铊钡铜氧系和铊钡钙铜氧两种。其超导转变的零电阻温度Tc分别为81K和125K。属四方晶结构，存在两种结构类型的超导相。一方铊-氧单层，为简单晶结构。一方铊-氧双层，为体心立方晶格。采用粉末固相烧结法制备。
CAS号：
性质：一种含铊的铜基氧化物超导陶瓷。主要有铊钡铜氧系和铊钡钙铜氧两种。其超导转变的零电阻温度Tc分别为81K和125K。属四方晶结构，存在两种结构类型的超导相。一方铊-氧单层，为简单晶结构。一方铊-氧双层，为体心立方晶格。采用粉末固相烧结法制备。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条