2) nonlinearity-increasing fiber
非线性递增光纤
1.
Based on the adiabatic compression theory,adiabatic pulse compression using the nonlinearity-increasing fiber is suggested and investigated.
从脉冲绝热压缩的理论出发,提出一种利用非线性递增光纤实现脉冲绝热压缩的新方案。
3) nonlinear decreasing
非线性递减
1.
Because of this,a particle swarm optimization algorithm with the strategy of nonlinear decreasing inertia weight is proposed based on the standard particle swarm algorithm.
结果提出一种非线性递减惯性权重策略的粒子群优化算法。
4) nonlinear recurrence
非线性递推
1.
An efficient parallel algorithm for the solution of a kind of nonlinear recurrence problems is proposed in the paper.
提出了一种有效求解一类非线性递推问题的并行算法。
5) linear increasing function
线性递增函数
1.
Based on the constant demand, under the hypothesis that the ordering cycle is a random variant which satisfies exponent distribution, average demand is a linear increasing function, this paper considers the effects of the time-value of capital and inflation on replenishment strategy of inventory system.
在需求均值为定常参数研究的基础上 ,假设订购周期为服从指数分布的随机变量 ,需求均值为线性递增函数 ,以及考虑资金的时间价值和通货膨胀因素对库存系统补充策略的影响 ,进一步放宽了确定状态下基本经济订购批量模型的条件 ,给出了无限时域和有限时域条件下模型的综合费用函数 ,并推导出最优订购批量、最优订购周期等参数的表达式 ,拓宽了需求均值为定常参数时EOQ模型的应用范围 ,为库存系统的管理决策提供了理论依据。
6) Nonlinear growth
非线性增长
1.
The problem of semiglobal robust stabilization via output feedback for a class of nonlinear systems with nonlinear growth is addressed.
从半局镇定角度研究了一类非线性系统的输出反馈镇定问题,这类系统具有较强的非线性增长特征。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条