1) extension of conditions
条件外延
2) dispersal condition
蔓延条件
3) condition for postponement
延缓条件
1.
The author set forths the views of unliateral act with condition for postponement, and hope that the legal provision on Reward Advertisement will be made in the future Civil Code.
认为悬赏广告是附延缓条件的单方法律行为 ,且作了进一步论证。
4) condition delay
条件延迟
5) external condition
外部条件
1.
The purpose of the pretreatment of seawater desalination was expounded,and the influence of external conditions on the pretreatment of seawater desalination was analyzed.
介绍了海水淡化预处理的目的,分析了外部条件对海水淡化预处理的影响,详细论述了反渗透淡化原水预处理和蒸馏法淡化原水预处理的工艺流程。
2.
The marketing of the interest rate, which is imperative, requires a series of the objective external conditions and probably causes the financial risk.
利率市场化势在必行,它要求有一系列客观外部条件,同时可能产生金融风险。
3.
The paper analyses the causes of students weak oral ability in three aspects from oral teaching, external condition and cultural differences.
本文从口语教学、外部条件、文化差异三方面分析了中国学生英语口语困难的原因,并据此提出将英语口语语料库运用到口语教学中的建议。
6) external conditions
外部条件
1.
Fair Competitive External Conditions for Western Development of Minorities Under-Previledged Regions with Special Macro-Economy Policy;
公平竞争需要特殊的宏观经济政策——论民族贫困地区在西部大开发中的外部条件
2.
Administrative system of China needs suitable and external conditions to break the traditional officer s concept,to make government affairs to public,to improve the established laws and to reinforce construction of regulations as well as administrative liability system.
行政问责制在中国实施需要适宜的外部条件,既要打破传统的官本位观念,又要政务公开、政务透明,并需加强与其相关的配套法律、法规建设和强化行政问责制体外的控制手段建设;同时,还需要相应的内部因素,如加强异体问责、强化对行政问责制制度自身的建设。
补充资料：半导体外延生长
半导体外延生长
epitaxial growth of semiconductors
半导体外延生长即itaxial盯owth of semieon.ductors将衬底的结晶结构延伸到沉积层中形成有源层的技术。在半导体材料和器件的早期发展中已发现，用体单晶进行扩散或离子注入等方法形成薄膜作为有源层时，难以控制它们的浓度、厚度、结晶性能和电学性质等。因此，在20世纪60年代发展了外延工艺。外延是用单晶层沉积在单晶衬底表面上，并使衬底的结晶结构延伸到沉积层中。当沉积层和衬底是同种材料时称为同质外延，如GaAs层沉积在GaAs衬底上;而当沉积层与衬底不是同种材料时，则称为异质外延，如GaAIAs层沉积在GaAs衬底上。 外延条件与特征根据外延的定义，通常需要满足两个条件:①外延层和衬底的晶体结构必须具有相同的结晶空间群;②外延层和衬底的晶格参数必须尽量匹配。所谓尽量匹配，至今尚无定论，但有一般规律。如果晶格失配度定义为 。=(aL一隽)/aAv，(式中al_和绳分别为外延层和衬底的晶格参数，吸v为其平均值)，则当。蕊10一时，外延生长将使外延层产生晶格变形，以便穿越衬底和外延层，保持真正的晶格平面连续性;当:>10一时，则界面将产生失配位错等缺陷，以调节衬底和外延层之间存在的晶格失配和增加外延层成核困难的趋势。 与体单晶生长相比，外延生长具有下列优点:①外延温度比体单晶的熔点低，可减少杂质沾污;②可采用经过提纯的高纯原料，提高半导体的纯度;③可实现异质外延;④可制备多层和超薄层，甚至超晶格和原子层结构材料;⑤可控制外延层厚度、掺杂浓度和改变导电类型等。 外延方法及制备近10年来，外延生长的工艺和理论都有很大进展。选择合适的外延方法，不但可以获得高纯度、低位错、突变界面、高生产率、高均匀性和良好重复性的半导体材料，而且能够进行单原子层的外延，即所谓原子层外延(ALE)和原子层掺杂。后者为研究突变界面结构材料和在原子级水平上理解同质和异质外延的机理提供十分重要的信息。 随着半导体异质结制备，大面积集成、光电集成、超晶格与相应结构的发明和创造，使半导体材料、器件及电路进入新的水平，而这些结构只能用外延方法制备。常用的外延方法主要有4种:①气相外延(VPD。在51外延中常称化学气相沉积(CVD)。VPE与CVD的区别在于后者既包括外延又包括非外延。在VPE中反应物在流动气流中输运至衬底，然后进行沉积。金属有机化合物气相外延(MOVPE)是VPE中一种较新的工艺。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条