1) nonlinear adaptive predictive targeting control
非线性自适应预测跟踪
1.
The sigmoid-Volterra adaptive predictors are used to perform nonlinear adaptive predictive targeting control of chaos in continuous chaotic systems based on the nonlinear adaptive predictive principle of chaotic time series, where the nonlinear adaptive controller acts on only one-dimensional time series coming from the chaotic state of the controlled system.
基于混沌时间序列的非线性自适应预测原理 ,用一种sigmoid Volterra自适应预测滤波器研究了连续混沌系统的非线性自适应预测跟踪控制 。
2) adaptive tracking prediction
自适应跟踪预测
4) adaptive tracing measurement
自适应跟踪测量
1.
The results show the method can realize the adaptive tracing measurement of freeform surface by adjusting the position of laser probe on its contour,and ensuring the sensor works within the scope of linear measurement.
通过对反馈系统的线性度和回程误差进行实验分析,结果表明,该方法能够实现自由曲面的自适应跟踪测量,可保证激光测头跟随被测曲面的轮廓上下调整,使传感器工作在线性测量范围内。
5) adaptive line predictor
自适应线性预测
1.
To solve the problem,the paper proposed a new VR-HARQ(Variable Redundancy Hybrid-ARQ) scheme based on the adaptive line predictor.
在该方案中,由于时变信道的慢衰落特性,时变信道被等效为有限状态的M arkov过程,每个M arkov状态对应信道的不同信噪比,同时,文章详细地描述了信道吞吐率与误码率之间的数学关系,推导了每个M arkov状态的最佳编码方案,然后系统采用自适应线性预测算法,根据当前个时段的信道状态,估计下一个时段信道的信噪比以及其所对应的M arkov状态,最后根据吞吐率最大原则选择合适的纠错编码方案。
6) Adaptive tracking
自适应跟踪
1.
Robust adaptive tracking of stochastic nonlinear systems with uncertain noises;
具有不确定噪声的随机非线性系统的鲁棒自适应跟踪
2.
In order to overcome the above mentioned disadvantages, a modified adaptive tracking algorithm of moving target was presented.
为了克服"当前"统计模型自适应跟踪算法(CAF)跟踪匀速运动目标误差较大和跟踪加速机动目标速度与加速度估计误差和动态时延较大的缺陷,通过分析研究CAF算法,采用截断正态分布表征目标的机动加速度特性,考虑风速和加速度估计均值的影响,对机动加速度与方差自适应关系修正,自适应补偿过程噪声协方差矩阵,提出了一种改进的机动目标自适应跟踪算法。
3.
The problem of robust adaptive tracking for a class of uncertain nonlinear systems with linear unknown parameters and unmodeled dynamics is discussed.
讨论了一类含线性未知参数和未建模动态的不确定非线性系统的自适应跟踪问题 ,通过backstepping过程给出了自适应控制规律 。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条