1) Conductivity background
背景电导率
2) BLIR detectivity
背景红外光电导探测率
3) background probability
背景概率
1.
The algorithm integrates the stabilization duration with appearance frequency,and uses weighted intensity histogram to confirm the background probability of quantity interval.
综合考虑像素点亮度的稳定状态持续时间和出现频率,定义加权亮度直方图确定量化区间的背景概率,根据背景概率大小和分布,结合基于亮度空间相关性的修正实现背景重构。
4) background limited infrared photoconductor (BLIP)
背景限红外光电导体
5) background current
背景电流
1.
The selection of conditions on controlled potential,the kinds of supporting electrolyte and so on lessns the background current and makes the standard deviation less than 0.
进行了控制电位、支持电解质种类等条件选择,使得测定背景电流小,标准偏差低于0。
2.
With 100 nA background current,3.
在背景电流为100 nA,积分时间为2。
6) background charge
背景电荷
1.
According to the semi classical model, by means of electrical characteristics analysis of R SET, it was proposed that the electrical performance of R SET was not affected by the background charge.
基于单电子系统半经典模型 ,分析了电阻耦合单电子晶体管的电学特性 ,得到其电学性能不随背景电荷分布变化的特点 。
2.
The background charge independent single electron transistor (SET)/field effect transistor (FET) hybrid memory cell works on the basis of the periodic dependence of the drain current of SET on its gate voltage.
基于背景电荷不敏感单电子晶体管／场效应晶体管混合存储单元利用单电子晶体管源漏电流随栅电压周期振荡的特性工作，以半经典的单电子正统理论为基础，采用计算机数值模拟的方法，分析了背景电荷不敏感单电子晶体管／常规场效应晶体管混合存储单元的工作原理和基本特性。
补充资料：电导率(见电阻率)
电导率(见电阻率)
conductivity
d!日nd日O}已电导率(eonduetivity)见电阻率。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条