1) excitation spectra profile
激发谱线型
2) X-ray excited optical luminescence
X射线激发发光谱
1.
X-ray absorption fine structures(XAFS)and X-ray excited optical luminescence(XEOL)at the Si K and Si L3,2 edge have been used to investigate the optoelectronic properties of Silicon nanowires.
采用X射线吸收精细结构谱(XAFS)和X射线激发发光谱(XEOL),在Si的K边和L3,2边研究了硅纳米线的光电特性。
3) X-ray excited emission spectra
X射线激发发射光谱
4) X-ray excited spectra
X射线激发发射谱
5) x-ray excited luminescence spectrum
X射线激发发光光谱
1.
The doping ions improve the transmittance and the x-ray excited luminescence spectrum intensity.
掺杂的离子改善了晶体的透过率和X射线激发发光光谱强度。
6) Particle induced X-ray emission spectrometry
粒子激发X射线光谱
补充资料：晶体中的元激发(见固体中的元激发)
晶体中的元激发(见固体中的元激发)
elementary excitation in crystal
晶体中的元激发eleme讯ary excitation Incrvstal见固体中的元激发。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条