1) surface relaxion
表面驰豫
2) surface atom relaxation
表面原子驰豫
3) thermal relaxation at the material interface
界面热驰豫
4) interface relaxation polarization
界面驰豫极化
1.
The main features of capacitance frequency curve recognize that the capacitance dispersion region results from the mechanism of interface relaxation polarization.
由电容频谱曲线的主要特征判断,界面驰豫极化机制主导这一电容弥散区。
5) relaxation
[英][,ri:læk'seɪʃn] [美]['rilæk'seʃən]
驰豫
1.
Orientational relaxation of C_(60) researched by extremal dynamic model;
C_(60)取向驰豫的极限动力学研究
2.
The equation describe the existences of the resonance states and the relaxation.
导出并求解了跃迁几率振幅的运动方程，该方程正确描写了共振态的存在和驰豫现象。
3.
And we will study the influence of the quantum dimsension effect to the relaxation construction in the item.
项目主要研究在半导体和金属衬底上生长Pb薄膜时的量子尺寸效应,即纳米量级的厚度对薄膜生长规律的影响,进而探讨量子尺寸效应对驰豫结构的影响。
6) surface relaxation
表面弛豫
1.
Temperature effect of NMR surface relaxation in water saturated rocks;
饱和水岩石核磁共振表面弛豫温度特性
2.
The CBED experimental observations and computer simulations based on the dynamical theory of electron diffraction show that the surface relaxation has relatively strong influence on the displacement components in the direction perpendicular to the interface, but very weak effect on the displacement components in the plane of the interfa.
对Al_2O_3颗粒增强铝复合材料与K_2Ti_5O_(13)晶须增强铝复合材料中的增强相/金属界面区域点阵位移场进行CBED研究,并对其进行电子衍射动力学理论模拟计算,结果表明:表面弛豫效应对晶须/铝界面法线方向上位移分量大小的分布影响显著,而对界面切线方向上位移分量的影响很小。
3.
After surface relaxation,the relaxation characteristic of the first layer shows shorting in the length of Ga-N bonds.
表面弛豫后,最表层原子发生键长收缩的弛豫特性,表面Ga原子趋于形成sp2杂化得到的平面型构形,而表面N原子趋于形成p3型锥形结构。
补充资料：辐射驰豫（radiationrelaxation）
辐射驰豫（radiationrelaxation）
分子从能量较高的激发态通过弛豫过程回到基态并发射光子的衰变过程。辐射弛豫包括二种过程：荧光（fluorescence）和磷光（phosphorescence）。当一个分子从其最低单线激发（S1）自发地发射光子回到基态（S0），即S1→S0，此辐射弛豫称荧光，它常发生在激发后的10-8～10-9s；若一个分子从最低三重态（T1）自发的发射光子回到基态，即T1→S0，此辐射弛豫过程称磷光。磷光的波长比荧光的要长。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条