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1)  dielectric confinement
介电受限
1.
Under the effective mass approximation, the paper studys the effect of dielectric confinement on an exciton in spherical and cubic QD(quantum dot).
在有效质量近似下,采用有限深势阱模型研究了强受限范围内,介电受限对球形、立方形半导体量子点中受限激子的影响。
2)  confined media
受限介质
1.
Herein the progress of photochemical reactions, including photo-fries rearrangements, Norrish/Yang photo- cyclization, dimerization of 9-substituted anthracenes and asymmetric photoreactions within the confined media is reviewed and the general rules are summarized for microreactor-controlled selectivity of the pho- tochemical transformations.
本工作以光Fries重排反应、Norrish/Yang光环化反应、9-取代蒽衍生物的光二聚反应以及不对称光化学反应为例,结合近年来在受限介质中光化学反应研究的最新进展,总结了利用受限介质控制化学反应选择性的一般规律。
3)  the dielectric medium stress
电介质受力
1.
The relation of the stress computation between the conductor system and the dielectric medium system with virtual displacement method in electrostatic field is presented in this paper,the dielectric medium stress essence in the electrostatic field is explained.
给出了用虚位移法计算静电场中电介质受力与用虚位移法计算静电场中导体受力的关系,从而说明了静电场中电介质受力的本质,阐明了静电场中电介质受力的计算可直接应用静电场中导体受力公式的原因,给出了计算介质受力时可以运用计算导体受力公式的条件,并给出了具体的例子进行说明。
2.
The paper gives the reason that in the electrostatic field the dielectric medium stress computation may directly apply the conductor stress formula.
本文给出了用虚位移法计算静电场中电介质受力与用虚位移法计算静电场中导体受力的关系,从而说明了静电场中电介质受力的本质。
4)  Limited power sources
受限制电源
5)  clamped dielectric constant
受夹介电常数
6)  dielectric susceptibility
电介质感受率
补充资料:受夹介电常数
分子式:
CAS号:

性质:电介质在恒定应变或应变为零(受夹状态)时的介电常数。用表示。上标S表示应力恒定,m、n分别为电位移分量和电场强度分量的方向。εmn是二阶对称张量,有六个独立的张量元。随晶体的对称性增高,其独立的εmn的数目减少。压电陶瓷只有ε11和ε33两个独立的介电常数,因此相应的受夹介电常数也只有和两个。由于压电材料的各向异性;其介电常数是张量,并具有分量。当测试频率远高于样品基波谐振频率时,样品的应变可视为恒定,所测得的是受夹介电常数。它是压电材料等效电路参数之一,对压电材料和元件的评价和使用具有重要意义。

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