2) nonlinear dynamic optimum design
非线性动力优化设计
4) non-linear combined optimum design
非线性混合优化设计
5) nonlinear optimization
非线性优化
1.
Study of nonlinear optimization based on grading competition compact genetic algorithm;
基于分级竞争紧致遗传算法的非线性优化
2.
Based on identification of The internal and external constraints on wastewater reuse in urban setting were identified to develop a nonlinear optimization model to maximize the benefits of water resources in wastewater recycling system.
通过识别影响污水回用的城市内部约束和外部约束,构建了全面反映污水回用资源和环境效益的非线性优化模型。
3.
We define three kinds of collision energies,and calculate and discuss them through a nonlinear optimization method.
定义了3种碰撞能量,并用非线性优化方法对其进行了计算及分析。
6) Non-linear optimization
非线性优化
1.
It is a multi-variables-mixed non-linear optimization problem in designing the structure of the embedded stiffened penstock of hydropower station,and it is difficult to be solved with general optimization methods.
水电站地下埋管的结构最优化设计是一个多维混合变量的非线性优化问题,采用常规优化方法求解有较大困难,为此提出基于试验优化设计思想的改进遗传算法———试验遗传算法。
2.
A computing program is developed relied on the non-linear optimization theory with damping least squares.
利用阻尼最小二乘法非线性优化理论编制了反分析计算程序,并根据土体的线弹性模型和邓肯—张EB模型,进行了模型参数反分析,其结果合理,从而验证本文所提出的方法的可行性。
3.
The main work includes:①the working mechanics of pressuremeter test is numerically simulated with finite element method, in which Duncan-Chang E-B model is applied;②a practical back-analysis method and computing program of constitutive parameters for Duncan-Chang E-B model are developed, based on the non-linear optimization theory with damping least squa.
内容包括 :①采用邓肯 -张E-B 模型和有限元方法 ,对旁压试验机理进行数值模拟 ;②研制采用阻尼最小二乘法非线性优化理论 ,依据实测旁压曲线 ,进行土体本构模型参数反演的方法和计算机程序 ;③在对模型各参数敏感性分析基础上 ,以室内试验结果为初值 ,对某工程地基覆盖层现场旁压试验实测曲线进行E-B 模型参数的反演分析。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条