1) Four-Potential barriers scatter
四重势垒散射
2) rough interface scattering
粗糙势垒散射
1.
It is found that dc Josephson currents in FS/I/FS are suppres sed by the ferromagnetic exchange interaction for weak barrier strength and weak rough interface scattering st.
研究表明 :当结界面势垒散射强度和粗糙势垒散射强度比较弱时磁交换能总是抑制FS I FS结的直流Josephson临界电流 ,而当结左右两边FS中铁磁态的磁化强度方向反向平行时 ,结界面势垒散射强度或粗糙势垒散射强度比较强且温度比较低时 ,FS I FS结的直流Josephson电流却是随FS中的磁交换能的增强而升
2.
Taking into account the rough interface scattering effects, within Bogoliubov de Gennes equations and Furusaki Tsukada formula we calculate the dc Josephson current in the ferromagnet superconductor tunnel junctions.
研究表明 :铁磁超导态中磁交换能和结界面的粗糙势垒散射均对FS/I/S结的直流Josephson电流有抑制作
3) diffusion barrier
扩散势垒
1.
Density function theory calculation of diffusion barrier on Cu(111) surface;
Cu(111)面上原子扩散势垒的密度泛函理论研究
2.
The diffusion barriers for the single helium atom in vanadium are studied by effective medium theory, in which the structure relaxation caused by the embedded atom is considered.
采用有效介质理论,并考虑晶格驰豫的影响计算He原子在金属钒中的嵌入能,通过能量分析推测He原子在金属钒中可能的扩散路径和扩散势垒,计算结果表明,He原子在金属钒bcc结构的四面体间隙位置有能量的最低点,为4。
3.
Adsorption energy and diffusion barrier of methanol in Ni2(4,4 -bipyridine)3(NO3)4 were inves- tigated using molecular mechanics and molecular dynamics method.
采用分子力学和分子动力学相结合的方法,对甲醇在Ni2(4,4'-bipyridine)3(NO3)4中的吸附能和扩散势垒进行了研究。
5) dispersion barriers(wells)
色散势垒(阱)
6) emitter barrier
发射区势垒
补充资料：pn结势垒（barrierofp-njunction）
pn结势垒（barrierofp-njunction）
pn结的空间电荷区中，存在由n边指向p边的自建电场。因此，自然形成n区高于p区的电势差Vd。相应的电子势能之差即能带的弯曲量qVd称为pn结的势垒高度。pn结的p区和n区的多数载流子运动时必须越过势垒才能到达对方区域，载流子的能量低于势垒高度，就被势垒阻挡而不能前进，这个垫垒叫做pn结势垒。pn结的势垒高度与两边半导体中的杂质浓度及其分布、温度以及半导体材料的禁带宽度Eg有关。除pn结势垒外，还有金属与半导体接触的接触势垒（肖特基势垒）、半导体表面形成的表面势垒等。势垒高度受外加电场的影响，当外加电场削弱势垒区中电场时，势垒降低，载流子容易通过；外加电场加强势垒区的电场时，势垒高度升高，载流子不易通过。利用pn结势垒这一特性可制成整流、检波等多种半导体器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条