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1)  finite crystals
有限晶体
2)  crystallographic finite element method
晶体有限元分析
3)  crystal plasticity finite element method
晶体塑性有限元
1.
The distributions of the stress, strain and stored energy in hot deformed austenite were simulated by crystal plasticity finite element method (CPFEM) to evaluate quantitatively the deformation behavior on a mesoscale.
为了定量描述热变形奥氏体在介观尺度上微观变形的非均匀性,采用晶体塑性有限元方法(crystal plasticity finite element method,CPFEM)模拟了C-Mn钢在不同变形条件下的变形行为,得到了在介观尺度上奥氏体的微观应力应变和变形储存能分布。
4)  crystallographic finite element
晶体滑移有限元
1.
The rate-dependent crystallographic finite element program was implemented for the analysis of the elastic-plastic stress fields near grain boundary(GB) in anisotropic bicrystals and tricrystals,taking the different crystallographic orientations,geometry GB and physical GB into consideration.
采用率相关的晶体滑移有限元程序对具有不同晶体取向的双晶体晶界附近及三晶体三晶粒交汇处的弹塑性应力场进行了计算,考虑了几何晶界和物理晶界的影响。
5)  finite height 2-D photonic crystals
有限高度二维光子晶体
1.
The effect of stuffing rate on band gap structure of finite height 2-D photonic crystals was investigated.
针对三角晶格空气孔和四方晶格介质柱这两种结构的有限高度二维光子晶体,用平面波展开法计算它们在不同填充率下的带隙结构,分析了带隙特性及填充率对带隙结构的影响。
6)  finite element polycrystal model
有限元多晶体模型
1.
Simulation of multi-point forming of aluminium sheet by finite element polycrystal model;
有限元多晶体模型模拟铝板多点成形过程
2.
Numerical simulation of multi point bending process of strip under different loading paths is dealt with the finite element polycrystal model.
采用有限元多晶体模型对无模多点成形条件下不同加载方式的板条多点弯曲成形过程进行了数值模拟。
补充资料:晶体管-晶体管逻辑电路
晶体管-晶体管逻辑电路
transistor-transistor logic
    集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路(DTL)中的二极管,改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功,基本门电路的结构和元件参数,经历了3次大的改进。同DTL电路相比,TTL电路速度显著提高,功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品,就使开关速度比DTL电路提高5~10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路,开关时间可缩短到3~5纳秒。绝大部分双极型集成电路,都是TTL电路产品。
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参考词条