1) MQW laser
分别限制量子阱激光器
2) InGaAs/AlGaAs SCH DQW lasers
InGaAs/AlGaAs分别限制双量子阱激光器
3) SCH QW Lasers
分别限制量子阶激光器
4) SQW-SCH
单量子阱分别限制
5) separate confinement heterostructure
分别限制单量子阱
1.
nm InGaAsP/GaAs separate confinement heterostructure (SCH) single quantum well (SQW) lasers are grown by enhanced liquid phase epitaxy (LPE).
研制出利用液相外延方法生长８０８ ｎｍ ＩｎＧａＡｓＰ／ＧａＡｓ 分别限制单量子阱激光器，其室温连续输出功率达到４ Ｗ，室温工作的特征温度达到２１８ Ｋ。
6) quantum well laser
量子阱激光器
1.
This paper deduces the formula of the multi—quantum well laser s optimal well numbers.
推导了量子阱激光器(也称为低阈值量子阱激光器)的最佳阱数的计算公式,经与实验值相比较,比较吻合,并且用PSpice模拟了阈值电流与腔长的关系。
2.
The cross-saturation characteristics of GaN quantum well lasers are theoretically calculated and analyzed based on the analyses of the energy band structure and the transition matrix elements of GaN.
通过分析GaN能带结构和跃迁矩阵元,对GaN基量子阱激光器的交叉饱和特性作了理论上的计算与分析。
3.
In this paper,the current modulation characteristics of a high power GaAs/GaAlAs quantum well laser in low frequencies(100Hz～20KHz)were experimentally investigaed in the first time.
本文首次对高功率GaAs/GaAlAs量子阱激光器 ( 80 8nm)的低频 ( 10 0Hz～ 2 0KHz)电流调制特性进行了实验研究。
补充资料：单量子阱(见量子阱)
单量子阱(见量子阱)
single quantum well
单且子阱sillgle quantum well见量子阱。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条