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1)  high hole concentration
高空穴浓度
1.
Investigation of high hole concentration Mg-doped InGaN epilayer;
高空穴浓度Mg掺杂InGaN外延材料性能的研究
2)  hole concentration
空穴浓度
1.
P type GaN with high hole concentration (8 28×10 17cm -3) was obtained by annealing at 800℃ for 1h.
样品在 80 0℃退火 1小时后 ,我们获得了空穴浓度达 8 2 8× 1 0 17cm-3 的 p型GaN。
3)  hole density
空穴浓度
1.
The hole density in the alloy was determined from the ratio of the intensity of the CPLP mode to that of the unscreened LO mode in the depletion layer.
发现空穴浓度随Mn组分的增加而迅速增加。
4)  altitude hole effect
高度空穴效应
5)  conveying by high concentration air
高浓度空气输送
6)  high concentration of oxygen vacancy
高氧空位浓度
1.
Study on the F′ color center adsorption spectrum of anatase with high concentration of oxygen vacancy using the first principle
锐钛矿高氧空位浓度F′色心吸收光谱的第一性原理研究
补充资料:高浓度粉剂
分子式:
CAS号:

性质:又称浓粉剂,母粉。即大于10%的粉剂。贮藏、运输方便。应用时,需用合格的填料再稀释。也可直接拌种,制毒饵或配制混剂。

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