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1)  capture cross sections of surface state
表面态俘获截面
1.
A new method which can nondestructively measure, then estimate the capture cross sections of surface state σ o n and σ - p (or σ n + and σ p 0) of silicon single crystal is proposed.
提出一个可以非破坏性地估算半导体单晶的表面态俘获截面σon和σ-p 的新方法 。
2)  capture cross section
俘获截面
1.
A single pass can provide 144 curves directly, including capture cross section sigma curve, formation ratio curve, far near sonde counting rate curve, total inelastic scattering gamma ray interpreted by software, and neutron, density porosity curve, which are most sensitive to the gas formation.
它一次下井可直接获得 14 4条曲线 ,其中的地层俘获截面曲线、地层比值曲线和远、近探头计数率曲线以及经过解释软件处理后的总非弹性散射伽马射线和中子、密度孔隙度曲线对气层反映最敏感。
3)  capture section
俘获截面
1.
It is generally used in cased hole for determining remaining oil salutation of formation with salinity by injecting borohidrade with high capture section into formations.
它是向地层中注入高俘获截面的硼酸 ,使中子寿命测井也适用于低矿化度地区。
4)  capture cross-section
俘获截面
1.
But as a quantitative evaluation,the accuracy of its standard is affected by the clay content,rock capture cross-section of the skeleton,porosity,and some other factors.
中子寿命测井在高矿化度地层中监测剩余油饱和度变化和寻找高剩余油、高含水油层等方面具有很好的效果,但作为定量评价其准确度受到泥质含量、岩石骨架的俘获截面值、孔隙度等不确定因素的影响。
5)  capture cross sections
俘获截面
1.
The kinetics simulation of trap depths and capture cross sections of SETs in AgCl microcrystals doped with [Fe(CN)_6] ~(4-) complex*;
立方体AgCl微晶中[Fe(CN)_6]~(4-)引入的浅电子陷阱阱深与俘获截面的动力学模拟
2.
We calculate the total electroncapture cross sections for systems:H ++Be 2+ , B 3+ ,C 4+ ,N 5+ ,O 6+ , and H ++He(1s 2) by twostate atomic orbit expansion method.
用两态原子轨道展开方法研究计算了中高能H+与类氦离子(Be2+,B3+,C4+,N5+,O6+)和He原子碰撞的电子俘获截面。
6)  surface trapping
表面俘获
补充资料:表面态
分子式:
CAS号:

性质:在半导体的表面,由于存在自身缺陷、吸附物质、氧化物或与电解液中的物质发生作用等原因,表面电子之量子状态会形成分立的能级或很窄的能带,称为表面态。它可以俘获或释放载流子,或形成复合中心,使半导体带有表面电荷,影响其电性能。故半导体器件制作时需要超净处理,半导体电极的性质也比金属电极复杂。

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参考词条