1) magnetization distributions
磁化分布
1.
The magnetization distributions of overlayer on ferromagnet substrate have been studied,based on the principle of minimum of free energy.
研究铁磁体表面上形成的覆盖层的磁化分布，得到了垂直磁化或平行磁化时铁磁体内磁化强度、覆盖层内各向异性常数和层与基体间交换常数满足的关
2) magnetic distribution and optimization
磁场分布及优化
3) Magnetic charges distribution
磁荷分布
4) Magnetic field distribution
磁场分布
1.
Numerical analysis was made on magnetic field distribution in working area of magnetic abrasive finishing by the finite difference method,and a kind of arithmetic to calculate the isodynamic was put forward.
利用有限差分的方法对磁极开槽情况下磁力研磨加工区域中的磁场分布进行了数值分析,提出了一种等磁位线的计算绘制算法,得到了加工区域磁场分布的等磁位线图。
2.
Magnetic field distribution of the ECRH superconducting magnet on HL-2A tokamak has been measured,and the results show that the normalized axial magnetic induction is not less than 0.
测量了HL-2A装置ECRH超导磁体的磁场分布。
3.
The effects of structural parameters of target cathode on magnetic field distribution during magnetron sputtering were simulated and analyzed to design a new-type rectangularly plane cathode,then the magnetic field of the designed cathode was simulated and analysed.
文章模拟分析了结构参数对磁控溅射阴极磁场分布的影响,设计了一种新型的矩形平面磁控溅射阴极,并对设计的阴极磁场进行模拟分析,结果表明有效提高了靶材表面磁场分布的均匀性。
5) distribution of magnetic field
磁场分布
1.
A study of the distribution of magnetic field on the axis of spiral valave;
螺线管轴线上磁场分布的研究
2.
The distribution of magnetic field in electromagnetic soft-contact mold with different slit parameters was analyzed through 3-D FEM numerical simulation method.
结果表明,对于部分切缝结晶器,结晶器口部有无盖板对其内部磁场分布的影响不大;增加结晶器切缝数,结晶器内磁场的渗透率、磁感应强度、磁场的有效作用范围及磁场的均匀性都得到增强;切缝宽度对结晶器内部磁场的影响不大;切缝长度越长,磁感应强度越大,磁场的有效作用范围越大。
3.
The effect of shield sheet on distribution of magnetic field in soft contact mould has been studied experimentally.
研究了屏蔽片对软接触结晶器中磁场分布的影响，通过对磁场的测定和液态金属成形实验，找出了屏蔽片的不同尺寸对磁场分布影响的定量规律。
6) Leakage flux distribution
漏磁分布
补充资料：磁化过程
使原来不显示磁性的物体在磁场中获得磁性的过程。理论和实验证明，一块状铁磁体在磁中性状态下分为若干自发磁化区域,即磁畴。当外磁场H＝0时,各磁畴的合磁矩等于零 (1)
式中Vi是第i个磁畴的体积，θi是第i个磁畴的磁矩Ms与某一特定方向（如磁场方向）间的夹角。
当加上外磁场时,铁磁体被磁化，沿H方向出现磁化强度δMH，由式(1)得 (2)
上式中的第一项表示各磁畴中的Ms的大小和方向不变，而畴的体积发生变化。自发磁化强度Ms的方向靠近H的那些磁畴长大，而Ms的方向与H的夹角大的那些磁畴缩小。这一过程是通过磁畴间界壁（即磁畴壁）的位移实现的，故称为畴壁位移过程，简称壁移过程。第二项表示各畴的Ms的大小及体积Vi不变, 但Ms的方向改变,转向外磁场H的方向,故称为磁畴转动过程,简称畴转过程。通过壁移及畴转过程,Ms完全沿H方向取向, 此时达到技术磁饱和。技术饱和磁化强度就等于该温度下的自发磁化强度。壁移和畴转过程有可逆和不可逆两种。第三项表示Ms本身数值的增加。这是由于强磁场的作用克服了热扰动的影响，使单位体积内平行于磁场的自旋磁矩数增加。此过程与顺磁性有类似之处，故称为顺磁过程。在极强的磁场中，铁磁体的磁化强度趋于其绝对零度时的自发磁化强度值。一般情况下顺磁过程对磁化强度的增加贡献很小，所以铁磁体磁化曲线的进程主要取决于前两种技术磁化过程。一般地说，在弱磁场中，壁移过程占主导，接着是畴转过程，只有在强磁场中才有较明显的顺磁过程。
附图示出铁型晶体磁化过程的示意图。在起始状态（0点）,样品中形成闭合的磁畴结构。加上磁场后,在弱场范围(0-a)发生可逆壁移过程，磁化强度随H的变化缓慢。当H增大到磁化曲线比较陡峻的区域(a-b)，发生不可逆壁移过程,出现阶跃式的磁化(称为巴克好森跳跃)。在曲线拐点处(c点),样品处于单磁畴状态，磁场再增大时，依次发生畴转过程及顺磁过程。
参考书目
郭贻诚编著:《铁磁学》,高等教育出版社,北京,1965。
北京大学物理系"铁磁学"编写组编:《铁磁学》,科学出版社，北京，1976。
李荫远、李国栋编：《铁氧体物理学》，修订版，科学出版社，北京，1978。
戴礼智编著：《金属磁性材料》,上海人民出版社,上海，1973。
式中Vi是第i个磁畴的体积，θi是第i个磁畴的磁矩Ms与某一特定方向（如磁场方向）间的夹角。
当加上外磁场时,铁磁体被磁化，沿H方向出现磁化强度δMH，由式(1)得 (2)
上式中的第一项表示各磁畴中的Ms的大小和方向不变，而畴的体积发生变化。自发磁化强度Ms的方向靠近H的那些磁畴长大，而Ms的方向与H的夹角大的那些磁畴缩小。这一过程是通过磁畴间界壁（即磁畴壁）的位移实现的，故称为畴壁位移过程，简称壁移过程。第二项表示各畴的Ms的大小及体积Vi不变, 但Ms的方向改变,转向外磁场H的方向,故称为磁畴转动过程,简称畴转过程。通过壁移及畴转过程,Ms完全沿H方向取向, 此时达到技术磁饱和。技术饱和磁化强度就等于该温度下的自发磁化强度。壁移和畴转过程有可逆和不可逆两种。第三项表示Ms本身数值的增加。这是由于强磁场的作用克服了热扰动的影响，使单位体积内平行于磁场的自旋磁矩数增加。此过程与顺磁性有类似之处，故称为顺磁过程。在极强的磁场中，铁磁体的磁化强度趋于其绝对零度时的自发磁化强度值。一般情况下顺磁过程对磁化强度的增加贡献很小，所以铁磁体磁化曲线的进程主要取决于前两种技术磁化过程。一般地说，在弱磁场中，壁移过程占主导，接着是畴转过程，只有在强磁场中才有较明显的顺磁过程。
附图示出铁型晶体磁化过程的示意图。在起始状态（0点）,样品中形成闭合的磁畴结构。加上磁场后,在弱场范围(0-a)发生可逆壁移过程，磁化强度随H的变化缓慢。当H增大到磁化曲线比较陡峻的区域(a-b)，发生不可逆壁移过程,出现阶跃式的磁化(称为巴克好森跳跃)。在曲线拐点处(c点),样品处于单磁畴状态，磁场再增大时，依次发生畴转过程及顺磁过程。
参考书目
郭贻诚编著:《铁磁学》,高等教育出版社,北京,1965。
北京大学物理系"铁磁学"编写组编:《铁磁学》,科学出版社，北京，1976。
李荫远、李国栋编：《铁氧体物理学》，修订版，科学出版社，北京，1978。
戴礼智编著：《金属磁性材料》,上海人民出版社,上海，1973。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
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