1) ultrashort driving beam
极短驱动束
2) constrains driving
驱动约束
1.
This paper introduces the 3D simulation based on VBA and constrains driving,by the simulation for the feeding of a drill press in the environment of Inventor assembly.
介绍了在Inventor装配环境下,基于集成的VBA和驱动约束实现三维仿真模拟。
3) constraint-driven
约束驱动
1.
A parametric graphic method based on constraint is presented, which is based on the relation of the dimension-chain and geometric topology of drawing, and changes the solid database by parametric-driven and constraint-driven.
基于约束的图形参数化方法以图形的尺寸链及几何拓扑关系为基础，通过参数驱动与约束驱动来更改图形的实体数据库，从而达到参数化目的。
2.
The problems in the presented algorithms of hardware/software partitioning are analyzed and a new hardware/software partitioning algorithm is presented, based on the combination of the constraint-driven and elimination of slack time.
硬 /软件划分是硬 /软件协同设计的关键问题之一 在分析了已经被提出的硬 /软件划分算法中存在的问题之后 ,提出了一种基于约束驱动和松弛时间消除相结合的硬 /软件划分算法 首先是获取结点面积-时间 (A T)曲线的方法 ,然后比较时间约束紧迫度与阈值的大小 ,决定结点是用硬件还是软件执行 硬 /软件面积的约束紧迫度决定硬 /软件执行面积 ,通过A T曲线找出对应的执行时间 最后 ,消除结点之间存在的松弛时间进一步优化设
5) gate drive
栅极驱动
1.
Using The Current Sensing IR212X Gate Drive ICs;
使用电流感应IR212X栅极驱动IC
2.
For the problem the negative gate drive was adopted,but the number of elements was much in the general negative charge pump circuit.
因此设计了一种简化负压栅极驱动电路,电路简单,工作可靠。
3.
the paper presents a perfect method of gate drive and protec
本文结合强流氧离子注入机中电源实例,对绝缘栅双极晶体管(IGBT)的特性、短路安全工作区、栅极驱动和可靠保护分别进行了论述。
补充资料：高压功率MOSFET门极驱动电路
高压功率MOSFET门极驱动电路
high voltage power MOSFET gate driver
gooyo gongl口MOSFET men}{目udongd一on{日高压功率MOSFE丁门极驱动电路(highvoltage Power MOSFET gate driver)用来开关高压电路中功率MOSFET的门极控制电路，又称高压浮动MOS门极驱动器。 对门极驱动电路的要求 (1)功率MOSFET位于高电位主电路中，而驱动电路位于低电位，因此一般需要电气隔离。、 (2)驱动门极的控制信号幅值应满足10~15V。由子功率MOSFET的门极与源极之间存在极间电容，故门极驱动必须提供该极间电容充放电所需的功率。(3)应具有一定的保护功能。 驱动电路的隔离方法 (l)光隔离:采用光祸合器，电路中每个功率MOSFET需要一个隔离电源，电路复杂，价格较贵，体积大，但开关很快，信号传播延时小。 (2)磁隔离:采用脉冲变压器，电路简单，费用可行，但对占空比很宽的脉冲信号进行祸合需要复杂的技术，信号频率较低时，变压器尺寸显著增加，寄生参数将会使快速开关波形畸变。 驱动电路技术发展很快，现已生产多种驱动IC芯片。进入90年代以来，一种高性能的新型高压浮动MOS门极驱动器IC芯片投人使用，使得MOS功率器件的门极驱动更加完善和易于实现。新型组件能直接驱动低电位开关，而且因具有悬浮输出，故又能直接驱动高电位开关。例如IR213o组件为六输出门极驱动器，在三相逆变电路中，用一片组件，一个千15V直流电源就可同时驱动六个功率MOSFET，使电路大为简化。它还具有以下性能:输出电阻值较小，门极极间电容可快速充放电，提高了功率器件开关速度，开关损耗低;在高频及最高允许工作电压下内部损耗较小。门极欠压、过压或负载电流超过预定峰值时，门极信号钳位于低电平，以保护功率开关器件。 绝缘栅双极型晶体管(I GBT)也属于门极电压驱动的功率器件，故上述的门极控制电路也适用于高电位的IGBT。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条