1) inversion layer resistance
反型层电阻
2) inversion layer charge
反型层电荷
1.
It depends on the inversion layer charge for MIS/IL(Metal-Insulator-Semiconductor/Induced layer).
在一定输出电流及光照条件下,数值求解半导体器件基本方程,获得输出电压和反型层电荷面密度等参数。
3) inversion layer capacitance
反型层电容
1.
First,inversion layer capacitance and depletion layer capacitance were defined,analyzed and calculated,respectively.
分别对反型层电容和耗尽层电容进行定义、分析和计算,给出了MOSFETs栅电容解析表达式,并与数值模拟结果进行了比较。
4) electrode inversion layer
电极反型层
5) inversion layer charge model
反型层电荷模型
1.
A new inversion layer charge model for SiC MOSFET is established by introducing the effect of excited states of impurities.
引入杂质激发态因素,建立新的SiC MOSFET反型层电荷模型。
6) barrier resistance
阻挡层电阻
补充资料：反型层
分子式：
CAS号：
性质：当过分地从半导体中取出多数载流子、而多数载流子能带必须严重弯曲才能供给全部所需的载流子时，形成反型层。这时载流子不得不取自少数载流子能带。“反型”一词的意思是由于发生上述过程，半导体表面发生转型，如n型半导体表面实际上已转变为p型，或p型半导体表面实际上已转变为n型。
CAS号：
性质：当过分地从半导体中取出多数载流子、而多数载流子能带必须严重弯曲才能供给全部所需的载流子时，形成反型层。这时载流子不得不取自少数载流子能带。“反型”一词的意思是由于发生上述过程，半导体表面发生转型，如n型半导体表面实际上已转变为p型，或p型半导体表面实际上已转变为n型。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条