1) horizontal tempering furnace
水平钢化炉
1.
A couple of ways for heating up horizontal tempering furnace were introduced and their merits and drawbacks were also discussed,it is suggested that the demand of heating up technology should be met with the improvement on temperature control method.
通过分析水平钢化炉中玻璃在加热过程中从热量产生到热量传递的基本原理,提出通过合理布局加热元件及加强热风循环的作用,并辅以相应的控温方法来提高水平钢化炉玻璃加热的工艺水平。
2) glass horizontal thermal toughening furnace
玻璃水平钢化炉
1.
The pioneer application of Innoceram ceramics to glass horizontal thermal toughening furnace was presented and comparison between Innoceram and other materials was made in this article.
介绍了INNOCERAM陶瓷在玻璃水平钢化炉中的创新应用,并将INNOCERAM陶瓷与其它材料做了比较研究。
3) horizontal temper
水平钢化
1.
This article described the principle of warming up glass with horizontal tempered process,presented a method to speed up heating glass and laid the groundwork for manufacturing horizontal or bending tempering furnace .
主要论述了使用水平钢化工艺方法对玻璃加热的加热原理,提出了快速加热玻璃温度的方法应用,为生产平、弯水平钢化炉的设备制造提供了理论依据。
4) horizontal chamber (coke oven)
水平炭化室(焦炉)
5) open hearth furnace slag
平炉钢渣
1.
Research on the cement of open hearth furnace slag;
平炉钢渣配制水泥的研究
6) open-hearth steelwaking
平炉炼钢
补充资料：水平单晶炉
水平单晶炉
horizontal crystal growth furnace
HB炉体结构，为了达到所设定的温度分布，每个温区都用多段加热，特别对Tl区，由4段或更多加热段组成。为了使结晶部位温度均匀，在此采用四象限加热方式，以达到理想的固液交界面。HB炉要求有稳定的温控体系，一般采用自动温控体系，现在已发展到带有升降温程序的温控体系，并由计算机来操纵若干台。 梯度凝固炉(GF)是采用逐渐降温的方法生长GaAs单晶。因此必须有严格带有升降温程序的温控设备，由于计算机程序温控的开发，使GF发展成为高度自动化的设备。GF的高温区由很多个(20~40个)加热的小单元组成，每个单元仅有25一50mm的长度，每单元与计算机有一个相对应的程序温控单元。按所设计的程序每个单元依序降温，以进行单晶生长。GF已经可以用来生长大尺寸的GaAs单晶。水平单晶炉的发展趋势是增大增祸装料量、增大单晶的截面，为此，全自动化的梯度凝固炉成为发展的重点。 (尹庆民)shu一Ping danJ，nglu水平单晶炉(horizontal erystal growth fur-nace)用于水平区熔法单晶生长和布里支受法单晶生长的装置，是工业生产砷化稼单晶的半导休材料专用设备。其原理是在低温区保持化合物半导体材料的挥发组分的蒸汽压，在高温区进行单晶的熔体生长。按结构可分为两温区炉(2T一HB)、三温区炉(3T一HB)、梯度凝固炉(GF)等。窿夔鳌攀~ 区还三王亚玄正这这这这剑么么乞:丝拍::荞…一一卜入“拼\ 水平单晶炉的结构与温度分布示意图 1一高温区炉;2一siC管.3一石英反应管;4一石英舟; 5一GaAs熔体;6一观察孔刃一籽晶;8一扩散孔; 9一中温区炉;10一低温区炉;11一余砷. 12一垫片;13一砷端电阻炉 两温区炉(2T一HB)是水平炉最典型的形式，高温区保持在GaAs熔点以上，起合成或熔化锭料作用。低温区为使砷挥发到高温区与稼化合，并使砷的压力保持在。.IMPa，这样与GaAs的离解压力相平衡。当炉体向左移动时，在结晶前沿的温度梯度作用下使GaAs熔体沿籽晶逐渐结晶而生成单晶。 三温区炉(3T一HB)是生长砷化稼比较理想的炉子。在高温区和低温区之间增设一个温区T:，这样使温度梯度比较小，对生长单晶有利，并能改善晶体的完整性。研究结果表明:T:的存在对抑制稼和石英的反应起了较好的作用，从而可以减少硅的污染。图为3T-
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参考词条