1) OPC
光学临近效应修正
1.
Various Effective Resist Diffusion Lengths Methodology for OPC Model Calibration;
基于多光刻胶有效扩散长度的光学临近效应修正模型校准方法(英文)
2) OPC Optical Proximity Correction
光学临近修正
3) OPC
光学邻近效应校正
1.
Summarizing advances in light source,optics,illumination technology,mask design,Optical Proximity Correction(OPC)and stage during photolithography pushing forward to nano-fabrication,and describing photolithography advantages in mass production applications,introducing requirements for Next Generation Lithography(NGL),to predict prospects of photolithography.
概述了光学光刻技术向纳米制造挺进过程中光源、光学系统、照明技术、掩模设计、抗蚀剂、光学邻近效应校正、工作台等方面的进展以及光学光刻技术在大批量生产应用中的优势,并介绍了国外开发极紫外光刻技术的技术指标,预测了光学光刻技术的前景。
2.
It is an effective method to use coding gray tone mask for OPC in submicron photolithography.
利用灰阶编码掩模实现光学邻近效应精细校正是改善光刻图形质量的有效方法 ,设计并利用电子束直写系统加工了用于实现邻近效应校正的灰阶编码掩模 ,首次在投影光刻系统上用这一方法实现了光学邻近效应校正 ,获得了满意的实验结果 ,在可加工 0 7微米的I线曝光装置上获得了经邻近效应校正的 0 5微米光刻线条。
4) proximity effect
临近效应
1.
We describe the fabrication of metal nanogaps of sub-20nm in feature size using the proximity effect in electron beam lithography(EBL).
描述了一种拓展电子束光刻中的临近效应来制备特征尺寸在亚20nm的金属Nanogap的方法。
2.
A single line is used as test pattern to determine proximity effect parameters and the normalization approach is adopted in experimental data transaction in order to eliminate the need of measuring exposure clearing dose of the resist.
此外,用此方法提取的电子散射参数被成功地用于相同实验条件下的电子束临近效应校正。
6) optical proximity effect
光学邻近效应
1.
A parasitic parameter extraction method for on-chip interconnects including the optical proximity effect;
一类考虑光学邻近效应的片内互连寄生电容提取方法
补充资料：非线性光学效应
分子式：
CAS号：
性质：指由电磁辐射所产生，但其响应却与照度不成比例的一种现象。光化学中重要的非线性光学效应有谐频发生、激光、拉曼位移等。
CAS号：
性质：指由电磁辐射所产生，但其响应却与照度不成比例的一种现象。光化学中重要的非线性光学效应有谐频发生、激光、拉曼位移等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条