1) InAlAs/InGaAs
铟铝砷/铟镓砷
2) InAlAs/InGaAs
In Al As/InGa As
3) InAlAs/InGaAs
InAIAs/InGaAs
1.
200nm gate-length GaAs-based InAlAs/InGaAs MHEMTs are fabricated by MBE epitaxial material and EBL(electron beam lithography)technology.
利用电子束光刻技术制备出200nm栅长GaAs基InAIAs/InGaAs MHEMT器件。
4) InAlAs/InGaAs
InAlAs/InGaAs
5) InAlAs/InGaAs HEMT technology
InAlAsInGaAsHEMT工艺
6) InAlAs/InGaAs single quantum well
InAlAs/InGaAs单量子阱
1.
Magneto-transport characteristics of two-dimensional electrongas for Si δ-doped InAlAs/InGaAs single quantum well;
单边掺杂InAlAs/InGaAs单量子阱中二维电子气的磁输运特性
参考词条
补充资料:铟(indium)
【铟】(indium)化学元素[周期系第III族(类)主族元素]。稀散元素之一。符号`In`。原子序数49,原子量114.82。基态电子构型`1s^22s^22p^63s^2``3p^63d^104s^24p^64d^105s^25p^1`。化合价3。自然界有两种稳定同位素`_49^113In`、`_49^115In`,另有二十九种放射性同位素。银白色金属,质软。比重7.31。熔点156.61℃,沸点2,080℃。熔化热3,
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