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1)  nonlinear time-varying resistance
非线性时变电阻
1.
With a nonlinear time-varying resistance as the kernel of the high-frequency macro model for thyristors,a concrete simulation model of SVC including a TSC (Thyristor Switched Capacitor) element and a TCR (Thyristor Controlled Reactor) element is further proposed.
为分析和预测由静态无功补偿器(SVC)产生的高频传导电磁干扰,基于晶闸管的动态开关特性,给出了SVC传导干扰仿真的建模方法,它以非线性时变电阻作为晶闸管宏模型的内核,建立含有晶闸管控制电抗器(TCR)支路与晶闸管开关电容器(TSC)支路的SVC仿真模型。
2)  linear non-time modification of electric circuit
线性非时变电路
3)  varistor [və'ristə]
变阻器非线性电阻
4)  varistor(-er)
变阻器,非线性电阻,可变电阻器,压敏电阻
5)  non-linear resistance
非线性电阻
1.
If the arc generated during the make or brake of electrodes of spark-test apparatus was regarded as a non-linear resistance, non-explosion assessing intrinsic safety method can be established.
如果将火花试验装置的电极在闭合或断开时的放电电弧看作一个非线性电阻,则可以实现电路本质安全性能的计算机辅助分析方法。
2.
The ZnO non-linear resistance is used in many power electronics circuit to protect against transient over voltage and surge energy.
氧化锌非线性电阻广泛用于电力系统过压保护和浪涌能量吸收。
3.
The huge-scale synchronous generator de-excitation with non-linear resistance is discussed in this paper.
本文对大型发电机组非线性电阻灭磁进行了研究,详细地分析和比较了SiC压敏电阻和ZnO压 敏电阻非线性电阻灭磁的特点,并对某840MW发电机组进行了仿真计算。
6)  varistor [və'ristə]
非线性电阻
1.
Usually,varistors are adopted in de-excitation(DE)of large generators.
大型发电机通常采用非线性电阻灭磁,非线性电阻并接在磁场绕组两端,这种接法已得到普遍采用。
2.
A new de-excitation method, in which capacitors with parallel connected varistor are connected to both terminals of field winding described in literature[1].
文献讨论了非线性电阻和电容器并联后,跨接到磁场绕组两端的新型灭磁方案,主要是利用磁场开关主触点分断后,由电容器和磁场绕组产生谐振,导致电容器电压上升,当电容器电压上升到超过或等于非线性电阻残压时,非线性电阻即投入,电容器上电压不再上升,这种灭磁的方法,对灭磁开关的开断弧压要求降低了,本文进一步探讨自并励水轮发电机空载误强励下,用新方案灭磁的情况,这里利用了在d,q轴坐标下同步电机Park方程,考虑了阻尼绕组和发电机空载特性饱和的影响,进行了仿真,得到了预期的结果。
补充资料:半导体非线性光学材料


半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials

载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场,从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温,导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外,极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段,可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中,载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应,使载流子能态分布量子化,并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍,因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外,外加电场很容易引起量子能态的显著变化,从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体,如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高,与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比,其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点,以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件,如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体,吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体,禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体,吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况,将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术,能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求,适合制作异质界面清晰的外延材料。
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参考词条