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1)  electro-optic voltage transformer
光电电压传感器
2)  optical fiber voltage sensor
光纤电压传感器
1.
Design of optical fiber voltage sensor based on DSP;
基于DSP的光纤电压传感器的设计
2.
The signal is delivered by optical fiber voltage sensor then will be analyzed when it across the Simulation,through the results of wavelet analysis,it has the adventage of removing harmonic wave and interference signals.
通过对MATLAB/xPC Target经TCP/IP网络连接,与PCL-1800数据采集卡构成的半实物仿真系统的介绍和分析,采用MATLAB小波工具箱,对光纤电压传感器经信号调理电路采集的信号进行仿真,结果表明小波分析能有效的去除采集信号的谐波和噪声干扰。
3.
The results prove that the performance of optical fiber voltage sensor can been improved greatly.
针对光纤电压传感器存在的温度稳定性问题,探讨了几种补偿的方法。
3)  optical fiber voltage transducer
光纤电压传感器
1.
The errors caused by light source, optical fiber, electro optic crystal and opto electric detector in optical fiber voltage transducer are presented.
研究了光纤电压传感器光路系统中光源、光纤、电光晶体和光电探测器对测量误差的影响 。
4)  optical voltage sensor
光学电压传感器
1.
The sensitivity and accuracy of optical voltage sensors using Bi 4Ge 3O 12 crystals is discussed involved with the sensor principle, composition and the ambient temperature.
从光学电压传感器的原理、构成及环境温度等方面分析了利用锗酸铋电光效应的光学电压传感器的灵敏度及精确度,讨论了光学元件方位角偏差对光学电压传感器性能的影响,得出一些有用的解析表达式,提出了改进光学电压传感器性能的方法。
2.
"Based on electrogyratory effect,an optical voltage sensor is experimentally investigated by using an electrogyratory crystal as voltage-sensing element.
研究了基于晶体电致旋光效应的光学电压传感器,电压传感元件采用了国产钼酸铅(PbMoO4)晶体。
3.
The influence of temperature field and stress field on the performance of the optical voltage sensor based on the BGO crystal acting as the sensing element is analyzed.
以锗酸铋(BGO)晶体为传感材料,分析了由温度、SF6气体产生的温度场、应力场对晶体光学性质的影响,得到了温度场、应力场对光学电压传感器性能影响的规律,即由温度场产生的热光效应和在均匀状态下的SF6气体压应力对传感器性能没有影响。
5)  Optical voltage transformer
光学电压传感器
1.
Starting from the basic principle of optical voltage transformer,this paper discussed the problem of phase retardation due to the total internal reflection of a polarized beam using the electromagnetic field theory.
从光学电压传感器的基本原理出发 ,应用电磁场理论讨论了线偏振光经全反射后的相位差问题 ,提出了用 90°直角棱镜的组合代替 1/ 4波长板 (λ/ 4波片 )的设计原则 ,给出了光学电压传感器结构设计方案。
6)  Photoelectric pressure sensor
光电压力传感器
补充资料:光电式传感器
      基于光电效应的传感器。光电式传感器在受到可见光照射后即产生光电效应,将光信号转换成电信号输出。它除能测量光强之外,还能利用光线的透射、遮挡、反射、干涉等测量多种物理量,如尺寸、位移、速度、温度等,因而是一种应用极广泛的重要敏感器件。光电测量时不与被测对象直接接触,光束的质量又近似为零,在测量中不存在摩擦和对被测对象几乎不施加压力。因此在许多应用场合,光电式传感器比其他传感器有明显的优越性。其缺点是在某些应用方面,光学器件和电子器件价格较贵,并且对测量的环境条件要求较高。
  
  光电效应  它是光照射到某些物质上,使该物质的电特性发生变化的一种物理现象,可分为外光电效应和内光电效应两类。外光电效应是指,在光线作用下物体内的电子逸出物体表面向外发射的物理现象。光子是以量子化"粒子"的形式对可见光波段内电磁波的描述。光子具有能量hv,h为普朗克常数,v为光频。光子通量则相应于光强。外光电效应由爱因斯坦光电效应方程描述:
   
  
  
  
  
  
  式中 m为电子质量,v0为电子逸出速度。当光子能量等于或大于逸出功时才能产生外光电效应。因此每一种物体都有一个对应于光电效应的光频阈值,称为红限频率。对于红限频率以上的入射光,外生光电流与光强成正比。内光电效应又分为光电导效应和光生伏打效应两类。光电导效应是指,半导体材料在光照下禁带中的电子受到能量不低于禁带宽度的光子的激发而跃迁到导带,从而增加电导率的现象。能量对应于禁带宽度的光子的波长称光电导效应的临界波长。光生伏打效应是指光线作用能使半导体材料产生一定方向电动势的现象。光生伏打效应又可分为势垒效应(结光电效应)和侧向光电效应。势垒效应的机理是在金属和半导体的接触区(或在PN结)中,电子受光子的激发脱离势垒(或禁带)的束缚而产生电子空穴对,在阻挡层内电场的作用下电子移向 N区外侧,空穴移向 P区外侧,形成光生电动势。侧向光电效应是当光电器件敏感面受光照不均匀时,受光激发而产生的电子空穴对的浓度也不均匀,电子向未被照射部分扩散,引起光照部分带正电、未被光照部分带负电的一种现象。
  
  分类  基于外光电效应的光电敏感器件有光电管和光电倍增管。基于光电导效应的有光敏电阻。基于势垒效应的有光电二极管和光电三极管(见半导体光敏元件)。基于侧向光电效应的有反转光敏二极管。光电式传感器还可按信号形式分为模拟式光电传感器(见位移传感器)和数字式光电传感器(见转速传感器、光栅式传感器、数字式传感器)。光电式传感器还有光纤传感器、固体图像传感器等。
  
  发展状况  1839年A.E.贝可勒尔发现当光线落在浸没于电介液中的两个金属电极上,它们之间就产生电势,后来称这种现象为光生伏打效应。1873年W.史密斯和Ch.梅伊发现硒的光电导效应。1887年H.R.赫兹发现外光电效应。基于外光电效应的光电管和光电倍增管属真空电子管或离子管器件,曾在50~60年代广泛应用,直到目前仍在某些场合继续使用。虽然早在1919年T.W.凯斯就已取得硫化铊光导探测器的专利权,但半导体光敏元件却是在60年代以后随着半导体技术的发展而开始迅速发展的。在此期间各种光电材料都得到了全面的研究和广泛的应用。它们的结构有单晶和多晶薄膜的,也有非晶的,它们的成分有元素半导体的和化合物半导体的,也有多元混晶的。其中最重要的两种是硅和碲镉汞。硅的原料丰富,工艺成熟,是制造从近红外到紫外波段光电器件的优良材料。碲镉汞是碲化汞和碲化镉的混晶,是优良的红外光敏材料。通过对光电效应和器件原理的研究已发展了多种光电器件(如光敏电阻、光电二极管、光电三极管、场效应光电管、雪崩光电二极管、电荷耦合器件等),适用于不同的场合。光电式传感器的制造工艺也随薄膜工艺、平面工艺和大规模集成电路技术的发展而达到很高的水平,并使产品的成本大为降低。被称为新一代摄像器件的聚焦平面集成光敏阵列正在取代传统的扫描摄像系统。光电式传感器的最新发展方向是采用有机化学汽相沉积、分子束外延、单分子膜生长等新技术和异质结等新工艺。光电式传感器的应用领域已扩大到纺织、造纸、印刷、医疗、环境保护等领域。在红外探测、辐射测量、光纤通信,自动控制等传统应用领域的研究也有新发展。例如,硅光电二极管自校准技术的提出为光辐射的绝对测量提供了一种很有前途的新方法。
  
  参考书目
   齐丕智等编著:《光敏器件及其应用》,科学出版社,北京,1987。
   袁希光主编:《传感器技术手册》,国防工业出版社,北京,1986。
  

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