1) In_2O_3:W
掺钨氧化铟
1.
Transparent conductive oxide films of both In_2O_3:Mo (IMO) and In_2O_3:W (IWO) were successfully fabricated by using DC reactive magnetron sputtering from metallic targets of In/Mo and In/W, respectively.
本文采用直流磁控反应溅射金属镶嵌靶In/Mo和In/W制备高价态差掺钼氧化铟(In_2O_3：Mo，IMO)和掺钨氧化铟(In_2O_3：W，IWO)透明导电薄膜，详细研究了氧分量、溅射电流、沉积温度等工艺参数对IMO和IWO薄膜电学和光学性能的影响；利用XRD，AFM，XPS等分析手段对薄膜进行表征；也采用渠道火化烧蚀技术沉积了IMO薄膜。
2) indium tin oxide
掺锡氧化铟
3) Molybdenum doped indium oxide
掺钼氧化铟
4) doped tungsten oxide
掺杂氧化钨
5) Molybdenum-doped In_2O_3 film
掺钼氧化铟(IMO)膜
6) ITO thin film
掺锡氧化铟薄膜
补充资料：钨酸铟
分子式：In2(WO4)2
CAS号：
性质：灰色结晶物。斜方晶系结构，晶格常数0.9051nm。熔点1410～1450℃。由氧化铟和三氧化钨反应，或由钨酸钠溶液和铟化物作用制取。易和碱金属生成复盐，如钨酸铟钾、钨酸铟钠等，它们都具一定的电磁性。
CAS号：
性质：灰色结晶物。斜方晶系结构，晶格常数0.9051nm。熔点1410～1450℃。由氧化铟和三氧化钨反应，或由钨酸钠溶液和铟化物作用制取。易和碱金属生成复盐，如钨酸铟钾、钨酸铟钠等，它们都具一定的电磁性。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条