1) MIEC oxides
混合导体氧化物
2) mixed couducting oxide
混合传导氧化物
3) mixed oxide
混合氧化物
1.
A series of La-Co-Ce-O mixed oxide catalysts with different bulk compositions were synthesized using a citric acid complexation-organic template decomposition method.
采用柠檬酸络合-有机模板剂分解法制备了不同原子配比的La-Co-Ce-O混合氧化物催化剂。
2.
The CeO_2-TiO_2 mixed oxide and its corresponding supported catalyst Pd/CeO_2-TiO_2 with Ce/Ti molar ratio of 0 05～0 40 were prepared by sol-gel and supercritical fluid drying method.
以溶胶 凝胶 超临界流体干燥法制备了CeO2 TiO2 混合氧化物(n(Ce) /n(Ti) =0 0 5～0 4 0 ) ,以其为载体,通过等体积浸渍法制备了Pd/CeO2 TiO2 催化剂。
3.
Co-Ni mixed oxide on Ni substrate was prepared by anodic deposition from Co(NO 3) 2-Ni(NO 3) 2 aqueous solution with different Co 2+/Ni 2+ ratios.
利用电化学阳极共沉积技术 ,从含不同Co2 + /Ni2 + 比的NaOH溶液中 ,在Ni基体上制备了Co Ni混合氧化物 。
4) Mix oxide
混合氧化物
1.
The electrochromic mechanism of mix oxide and properties of the device with different thickness of WO 3:TiO 2 are investigated in this paper.
本文考察了 WO3:Ti O2 混合氧化物电致变色的机理及 WO3:Ti O2 厚度不同的器件的电致变色特性。
5) Mixed oxides
混合氧化物
1.
The hydrogen reduction of three non-strochiometric of cobalt-nickel-tung-sten mixed oxides has been studied in the temperature range from 700 to 1000℃using X-ray diffraction analysis and scanning electron microscopy.
本文用X-射线衍射与扫描电镜分析研究了在700～1000℃范围内钨、镍、钴混合氧化物的氢还原。
2.
Using CaCl2 molten as electrolyte, sintered Fe2O3 and TiO2 mixed oxides pallets as cathode, graphite rod as anode, electrolysis was performed at 900 ℃.
在CaCl2熔盐中采用熔盐电解法由阴极的混合氧化物制备组分可控的TiFe合金。
6) cobalt oxyhydrate superconductor
水合钴氧化物超导体
补充资料：N沟道金属-氧化物-半导体集成电路
以 N沟道 MOS场效应晶体管为基本元件的集成电路，简称NMOS。NMOS电路于1972年才研制成功。NMOS电路发展的主要困难，是在普通的工艺条件下NMOS电路所用的衬底材料P型硅表面容易自然反型或接近反型,因而难以制成作为开关元件的增强型MOS晶体管,而且元件之间也不易隔离。NMOS电路工艺比PMOS电路（见P沟道金属-氧化物-半导体集成电路工艺复杂。一般情况下,NMOS电路采用性能良好的硅栅结构(见图)。衬底是轻掺杂的P型硅,栅的材料为多晶硅。一条多晶硅栅及其左右两个N型扩散区连同衬底组成一个N沟道 MOS晶体管。硅栅MOS结构中,铝线扩散线和多晶硅线均能作为内部联线，所以有三层布线。铝线同多晶硅线，铝线同扩散线可以交叉（如图左右两侧）。
NMOS工艺的特点是：①用硅栅结构实现栅同源、漏边界的自对准，以减小寄生电容；②用局部氧化方法使场区氧化层的底边下沉，既能保证为提高场阈电压所需的场氧化层的足够厚度，又能降低片子表面台阶的高度，防止铝层断裂；③用离子注入掺杂工艺可提高硅表面杂质浓度,精确控制MOS晶体管和寄生场晶体管的阈值电压。
硅栅NMOS电路也具有自隔离的特点。工作时,P型衬底连接最低电位，使所有PN结处于反偏或零偏。由于电子迁移率比空穴迁移率约大三倍，NMOS电路比PMOS电路速度快。NMOS电路为正电源供电，且N沟道MOS晶体管阈值电压较低，所以NMOS电路可与TTL电路（见晶体管-晶体管逻辑电路共同采用+5伏电源。相互间的输入、输出开关阈值可以彼此兼容，而不像PMOS电路需要特殊的接口电路。NMOS技术发展很快，其大规模集成电路的代表性产品是各种高速、低功耗、大容量的存储器和微处理器。
参考书目
Arthur B.Glaser, Gerald E.Subak－Sharpe,Integrated Circuit
Engineering Design,Fabrication and Applications，1st ed., Addison Wesley Pub.Co.,Reading, Massachusetts,1977.
NMOS工艺的特点是：①用硅栅结构实现栅同源、漏边界的自对准，以减小寄生电容；②用局部氧化方法使场区氧化层的底边下沉，既能保证为提高场阈电压所需的场氧化层的足够厚度，又能降低片子表面台阶的高度，防止铝层断裂；③用离子注入掺杂工艺可提高硅表面杂质浓度,精确控制MOS晶体管和寄生场晶体管的阈值电压。
硅栅NMOS电路也具有自隔离的特点。工作时,P型衬底连接最低电位，使所有PN结处于反偏或零偏。由于电子迁移率比空穴迁移率约大三倍，NMOS电路比PMOS电路速度快。NMOS电路为正电源供电，且N沟道MOS晶体管阈值电压较低，所以NMOS电路可与TTL电路（见晶体管-晶体管逻辑电路共同采用+5伏电源。相互间的输入、输出开关阈值可以彼此兼容，而不像PMOS电路需要特殊的接口电路。NMOS技术发展很快，其大规模集成电路的代表性产品是各种高速、低功耗、大容量的存储器和微处理器。
参考书目
Arthur B.Glaser, Gerald E.Subak－Sharpe,Integrated Circuit
Engineering Design,Fabrication and Applications，1st ed., Addison Wesley Pub.Co.,Reading, Massachusetts,1977.
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条