1) ICP deep-etching
ICP深刻蚀
3) ICP etching
ICP刻蚀
1.
,an array of silicon pillars was obtained by ICP etching and Teflon AF1600 was rotationally coated on the silicon pillar surfaces as the hydrophobic layer to obtain the hydrophobic-controllable surfaces.
为了分析超疏水表面的物理特性及应用前景,介绍了粗糙超疏水表面的两种理论模型,提出了一种基于MEMS加工技术的超疏水表面制备工艺,即利用ICP刻蚀工艺制备规则的硅方柱,并用旋转涂覆TeflonAF1600作为疏水薄膜,制备了疏水特性可控的硅表面。
2.
The device and technology of ICP etching,simulation models and CAD tools being applicable for ICP etching are introduced and compared to provide a quite comprehensive expatiation to readers.
从ICP刻蚀装置、ICP刻蚀技术及模拟模型以及可用于ICP刻蚀模拟的CAD工具研究现状等几方面,对ICP刻蚀过程中所涉及的原理和模型做了较为详细的介绍和比较,以使对ICP刻蚀技术及模型有一个较为全面的认识。
3.
Electron-beam lithography with high resolution and ICP etching with high selectivity-ratio and high anisotropy are investigated.
对分辨率极高的电子束光刻技术和高选择比、高各向异性度的 ICP刻蚀技术进行了研究 ,形成一套以负性化学放大胶 SAL- 6 0 1为电子抗蚀剂的电子束光刻及 ICP刻蚀的优化工艺参数 ,并利用这些优化参数结合电子束邻近效应校正等技术制备出剖面形貌较为清晰的 30 nm精细线条图形 。
4) ICP dry etching
ICP干法刻蚀
5) deep etching
深刻蚀
1.
Inductively coupled plasma(ICP) deep etching process of bulk titanium was studied in this paper.
采用电感耦合等离子体源(inductively coupled plasma,ICP)技术对金属钛进行三维深刻蚀,采用不同刻蚀掩模、氯基刻蚀气体,研究了线圈功率、平板功率和Cl2流量对刻蚀速率和选择比等工艺参数的影响,并对Ti深刻蚀参数进行了优化,得到0。
2.
Many MEMS structures need twice deep etching or even more,and usually the free-handing diaphragm is achieved after several deep etching.
许多MEMS结构需要进行2次或2次以上的深刻蚀,有些需要在多次深刻蚀后释放超薄的悬空薄膜结构,这时薄膜表面极易出现微小的腐蚀孔。
补充资料：深刻
深刻 在涂好漆灰，上过推光漆的器面上，根据画稿铲去漆面及漆灰，表现出图画形象的轮廓线，再在铲去的部位上涂白粉，加各种彩色，然后浸以油类使之固著的一种装饰技法。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条