1) I-V loops
I-V回线
2) V/I-I curve
V/I-I曲线
3) I-V curves
I-V曲线
1.
At first,a structure with high peak-to-valley ratio was used as the device because the sensitivity depends on the slop of I-V curves.
由于高灵敏度是依靠较高的I-V曲线斜率获得的,因此最初人们希望选择具有较高峰谷比结构作为器件。
4) I-V curve
I-V曲线
1.
<Abstrcat>The design of microwave power amplifier needs large-signal S parameters,but under most circumstances,the designer only has small-signal S parameters and the static I-V curve.
微波功率放大器设计需要大信号S参数,但大多数情况下,设计者只有小信号S参数和静态I-V曲线。
2.
In this paper,the shortages of Sequential Number-Theoretic Optimization for correlating the I-V curve of solar cells are analysed.
文章分析了序贯数论优化算法用于太阳电池I-V曲线拟合时的不足之处,将遗传算法中自适应搜索的思想和序贯数论优化算法相结合提出了一种自适应伪蒙特卡罗算法。
3.
The ideality factor and series resistance were obtained by fitting the I-V curve,and their effect on responsivity and noise of the detector was analyzed.
采用p-InP/n-InGaAs/n-InP外延异质结材料,制备了InGaAs线列台面探测器,并测试了器件的I-V曲线、响应率和噪声。
5) V-I curve
V-I曲线
6) V-Inonlinear
V-I非线性
补充资料：磁滞回线
图示强磁物质磁滞现象的曲线。它反映这类物质的磁通密度或磁化强度与磁场强度的关系。
当一种强磁物质的磁性状态改变时，磁化强度滞后于磁场强度，这种现象称为磁滞。
在原处于磁中性状态的强磁物质中施加外磁场，它就被磁化。随着外磁场强度H 的逐渐增大，物质中的磁化强度J将沿起始磁化曲线a增大，当磁化强度增大到Js以后,H 继续增加，磁化强度就不再增加了,这种状态称为磁饱和。上述过程如图中曲线 Oab段所表示。
如果强磁材料饱和后，使磁场强度从大于Hs的值逐渐减小至零，磁化强度随之减小至Jr，磁化状态由图中的b点转移到c点。当磁场强度由零逐渐变至-Hs时，J由Jr减小，最后达到反向饱和值-Js,磁化状态由图中的c点沿cde段磁化曲线达到e点。此后当使H由-Hs变至Hs时，磁化强度由-Js变至Js,磁化状态如图中的e点沿efgb回到b点。在以上过程中,J-H 平面上表示磁化状态的点的轨迹形成一个对原点对称的回线，称为饱和磁滞回线。
饱和磁滞回线上H＝0时,J 的值(即其在J 轴的截距的大小)称为剩余磁化强度Jr,也就是剩余磁通密度Br；在J＝0时, H 的值(即其在H 轴的截距的大小)称为关于磁化强度的矫顽力HCJ;在B＝0时, H 的值称为关于磁通密度的矫顽力HCB。根据磁滞回线可以由HCJ,HCB中的任一个求出另一个。一般HCJ≥HCB。对有理想矩形磁滞回线的材料HCJ＝HCB。
如果磁场强度在±Hm间缓慢变化，Hm＜Hs，则对应每-Hm值，经多次反复磁化后,磁化状态沿一条不饱和的对称的磁滞回线进行。这样便可在不同的Hm值下测得一族磁滞回线。 Hm愈小的磁滞回线,其剩磁和矫顽力也愈小。
当一种强磁物质的磁性状态改变时，磁化强度滞后于磁场强度，这种现象称为磁滞。
在原处于磁中性状态的强磁物质中施加外磁场，它就被磁化。随着外磁场强度H 的逐渐增大，物质中的磁化强度J将沿起始磁化曲线a增大，当磁化强度增大到Js以后,H 继续增加，磁化强度就不再增加了,这种状态称为磁饱和。上述过程如图中曲线 Oab段所表示。
如果强磁材料饱和后，使磁场强度从大于Hs的值逐渐减小至零，磁化强度随之减小至Jr，磁化状态由图中的b点转移到c点。当磁场强度由零逐渐变至-Hs时，J由Jr减小，最后达到反向饱和值-Js,磁化状态由图中的c点沿cde段磁化曲线达到e点。此后当使H由-Hs变至Hs时，磁化强度由-Js变至Js,磁化状态如图中的e点沿efgb回到b点。在以上过程中,J-H 平面上表示磁化状态的点的轨迹形成一个对原点对称的回线，称为饱和磁滞回线。
饱和磁滞回线上H＝0时,J 的值(即其在J 轴的截距的大小)称为剩余磁化强度Jr,也就是剩余磁通密度Br；在J＝0时, H 的值(即其在H 轴的截距的大小)称为关于磁化强度的矫顽力HCJ;在B＝0时, H 的值称为关于磁通密度的矫顽力HCB。根据磁滞回线可以由HCJ,HCB中的任一个求出另一个。一般HCJ≥HCB。对有理想矩形磁滞回线的材料HCJ＝HCB。
如果磁场强度在±Hm间缓慢变化，Hm＜Hs，则对应每-Hm值，经多次反复磁化后,磁化状态沿一条不饱和的对称的磁滞回线进行。这样便可在不同的Hm值下测得一族磁滞回线。 Hm愈小的磁滞回线,其剩磁和矫顽力也愈小。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条