1) Band Theory
半导体能带理论
2) semiconductor
半导体
1.
Progress of diamond tools for cutting silicon material in semiconductor Industry;
半导体工业硅材料加工用金刚石工具的发展
2.
Semiconductor Properties of Anodic Oxide Film Formed on Aluminum;
铝阳极氧化膜的半导体特性
3) semiconductors
半导体
1.
The Pointwise Estimates of Solution for One-dimensional Hydrodynamic Model for Semiconductors;
一维半导体流体动力学模型的解的逐点估计(英文)
2.
Preparations of Low Dimensional Oxide Semiconductors and Constructions of Gas-sensing Devices;
低维半导体氧化物的合成及气体传感器的研制
3.
The Analysis of Drift-diffusion and Hydrodynamic Models for Semiconductors;
半导体材料科学中的漂移扩散模型和流体动力学模型分析
4) Ⅱ-Ⅵ semiconductors
Ⅱ-Ⅵ半导体
5) semiconductors/SiO_2
半导体/SiO_2
6) semiconducting
半导化
1.
The efFect of sintering temperature on semiconducting under the conditions of high and low La_2O_3 additions was also studied.
研究了２５％Ｎ_２＋７５％Ｈ_２（体积分数）强还原烧结气氛下施主添加剂 Ｎｂ_２Ｏ_ ５、Ｌａ_２Ｏ_３对ＳｒＴｉＯ３双功能陶瓷半导化的作用规律，结果表明随着添加量的增大， Ｎｂ_２Ｏ_５掺杂试样的表观电阻率单调下降，而 Ｌａ_２Ｏ_３掺杂试样的表观电阻率呈“ Ｕ”形曲线。
2.
Strontium lead titanate materials of V shaped positive temperature coefficient characteristics came into being semiconductor because yttrium sol dopants were used as semiconducting additives.
利用Ｙ溶胶添加剂对钛酸锶铅Ｖ型正温度系数材料进行了半导化。
3.
The semiconducting mechanism, applications and fabrication techniques ofITO films are reviewed.
综述了ITO薄膜的半导化机理、应用和制备工艺。
参考词条
补充资料：半导体的能带结构
半导体的能带结构
band structure of semiconductors
、口‘J、，丢、刃砂I半导体的能带结构band Strueture of Semieon-ductors晶态半导体中电子能量E与波矢k的关系。它是描述晶体中电子能量分布和准经典运动及认识光跃迁过程的基础。由于对能带研究的各种实验手段和理论计算方法的发展，对各类常见半导体能带结构的主要特征和一些重要的能带参数(如带隙、带边有效质量等)取得了较系统的认识。常见的半导体材料主要包括W族元素半导体(Ge、51)、111一V化合物(如GaAs、GaP、Insb等)、11一VI化合物(如CdTe、HgTe等)、W一VI化合物(如Pbse、PbTe等)以及相应的固溶体(混合晶体)等。W族元素半导体具有金刚石结构，大多数nl一V化合物和一部分H一砚化合物具有闪锌矿结构，N一VI化合物则具有氯化钠结构。这些晶体的布拉伐格子都是面心立方，相应的倒格子是体心立方。在Si、GaAs和CdTe这些材料以及具有纤锌矿结构的其他m一V化合物和n一VI化合物中，每个原子都(或基本上)以共价键和四个近邻原子键合，而近邻原子都处在以该原子为中心的四面体的顶点上(四面体结构)。这种空间结构决定了这些材料能带结构的相似性以及彼此间能带结构差异的某些规律性。 带隙或称禁带宽度凡，是半导体材料的一个重要参数，凡的大小大体上和光吸收的闭值能量及光发射的长波限相对应，即和光电应用的波长范围密切联系着。较大的凡有利于半导体器件的热稳定性。大的凡通常对应于小的碰撞电离率，对于具有四面体结构的诸半导体，凡随原子序或平均原子序:增高而下降。但对等原子序的诸半导体而言，由于键的部分离子性，n-VI化合物的凡最大，而W族元素半导体的最小。Si，取代了早期得到广泛应用的Ge，是目前在电子器件和集成电路中获得最广泛应用的材料。就能带结构而言，作为电子器件的材料，Si优于Ge，主要是Si的凡大。GaAs比51的凡大，还可得到半绝缘的 GaAs，GaAs还具有其他一些优于Si的性质。一种材料是否能得到最广泛应用，还取决于材料生产和有关器件工艺的成熟程度以及相应的生产成本等。与W族元素半导体相比，诸m一V化合物及其固溶体的带隙大小构成了一个可供选择的连续谱，从而获得了不少特殊应用。‘例如窄带隙的Insb是重要的红外光电材料，带隙较宽的GaP是可见光发光二极管的重要材料，n一yI化合物及其固溶体则在窄带隙和宽带隙的两侧构成了补充。 价带与导带三类材料的价带顶都在k二0的F点，价带结构大致相似，但不同材料的导带则有较大差异。
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