1) FST in series
快速晶闸管串联
3) series-arm thyristor
串联晶闸管
4) fast switching thyristor
快速晶闸管
1.
Research of the Ga and Al double-impurity doping technique for making fast switching thyristor;
镓铝双质掺杂在制造快速晶闸管中的应用研究
2.
A novel hybrid current-limiting circuit breaker using the high power fast switching thyristor is proposed.
文中提出了一种基于快速晶闸管的新型混合式限流断路器结构,并针对低压场合,开展了2kA/320V混合式限流断路器样机的设计研制工作。
3.
The author bas joined in and auc- cessfully accomplished a PFM DC regulated power supply using high frequency fast switching thyristor,which has been adopted in practical application.
笔者曾参与研制成功一种利用高频型快速晶闸管实现的PFM型直流稳压电源,已付诸实际使用。
5) fast thyristor
快速晶闸管
1.
Due to the low performance of native fast thyristor, there are manydeficiencies for common RC protection loop of native medium frequency power supply.
由于国外生产的快速晶闸管性能高,能承受比较高的du/d、d/d;而国内du/d最高达500V/s、d/d达200A/s、:12s。
6) series of thyristor
晶闸管阀串联
补充资料：快速晶闸管
可以在 400Hz以上频率工作的晶闸管。视电流容量大小，其开通时间为4～8微秒，关断时间为10～60微秒。主要用于较高频率的整流、斩波、逆变和变频电路。
快速晶闸管是一个PNPN四层三端器件，其符号与普通晶闸管（见逆阻晶闸管）一样，它不仅要有良好的静态特性，尤其要有良好的动态特性。快速晶闸管的动态参数要求为开通速度和导通扩展速度快，反向恢复电荷少,关断时间短，通态电流临界上升率(dI/dt)及断态电压临界上升率 (dV/dt)高。通态电流临界上升率是在规定条件下，器件从断态转入通态时，对晶闸管不产生有害影响的最大通态电流?仙剩欢咸缪沽俳缟仙适窃诠娑ㄌ跫拢骷佣咸恢伦蛲ㄌ淖畲蠖咸缪股仙省？焖倬д⒐茉诙疃ㄆ德誓谄涠疃ǖ缌鞑凰嫫德实脑黾佣陆祷蛳陆岛苌佟６胀ňд⒐茉? 400Hz以上时，因开关损耗随频率的提高而增大，并且在总损耗中所占比重也增加，所以，其额定电流随频率增加而急速下降。
快速晶闸管的结构和工作原理与普通晶闸管相同，但在设计与制造中采取了特殊措施以减少开关耗散功率。通常采用增加门极－阴极周界长度、减薄基区厚度的办法,增加初始导通面积，提高dI/dt耐量和提高扩展速度；采用阴极短路点、非对称结构、掺金、铂或用电子、快中子辐照技术等办法降低少子寿命，提高dV/dt耐量,降低关断时间。80年代，快速晶闸管已做到通态平均电流1000A，耐压2500V，关断时间30微秒。
一种对工作频率有明确标定的快速晶闸管则称为高频晶闸管（中国型号为KG）。例如KG50（20kHz）,表示该高频管的标称工作频率为20kHz，通态平均电流为50A（20kHz下正弦半波平均电流值）。80年代中期,中国已能生产KG100(20kHz)和KG200(10kHz)，耐压为1～1.2kV的高频晶闸管。
快速晶闸管采取的特殊措施，在一定程度上降低了静态特性（如升高了通态压降），故限制了它直接工作于更高频率的大功率电子设备。为满足更高频率下工作对晶闸管提出的特殊要求，开发了门极辅助关断晶闸管、可关断晶闸管等。
快速晶闸管是一个PNPN四层三端器件，其符号与普通晶闸管（见逆阻晶闸管）一样，它不仅要有良好的静态特性，尤其要有良好的动态特性。快速晶闸管的动态参数要求为开通速度和导通扩展速度快，反向恢复电荷少,关断时间短，通态电流临界上升率(dI/dt)及断态电压临界上升率 (dV/dt)高。通态电流临界上升率是在规定条件下，器件从断态转入通态时，对晶闸管不产生有害影响的最大通态电流?仙剩欢咸缪沽俳缟仙适窃诠娑ㄌ跫拢骷佣咸恢伦蛲ㄌ淖畲蠖咸缪股仙省？焖倬д⒐茉诙疃ㄆ德誓谄涠疃ǖ缌鞑凰嫫德实脑黾佣陆祷蛳陆岛苌佟６胀ňд⒐茉? 400Hz以上时，因开关损耗随频率的提高而增大，并且在总损耗中所占比重也增加，所以，其额定电流随频率增加而急速下降。
快速晶闸管的结构和工作原理与普通晶闸管相同，但在设计与制造中采取了特殊措施以减少开关耗散功率。通常采用增加门极－阴极周界长度、减薄基区厚度的办法,增加初始导通面积，提高dI/dt耐量和提高扩展速度；采用阴极短路点、非对称结构、掺金、铂或用电子、快中子辐照技术等办法降低少子寿命，提高dV/dt耐量,降低关断时间。80年代，快速晶闸管已做到通态平均电流1000A，耐压2500V，关断时间30微秒。
一种对工作频率有明确标定的快速晶闸管则称为高频晶闸管（中国型号为KG）。例如KG50（20kHz）,表示该高频管的标称工作频率为20kHz，通态平均电流为50A（20kHz下正弦半波平均电流值）。80年代中期,中国已能生产KG100(20kHz)和KG200(10kHz)，耐压为1～1.2kV的高频晶闸管。
快速晶闸管采取的特殊措施，在一定程度上降低了静态特性（如升高了通态压降），故限制了它直接工作于更高频率的大功率电子设备。为满足更高频率下工作对晶闸管提出的特殊要求，开发了门极辅助关断晶闸管、可关断晶闸管等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条