1) low-field magnetoresistance
低场磁电阻
1.
The low-field magnetoresistance (LFMR) is mainly attributed to in.
样品的磁电阻是低场磁电阻效应,源于晶界处电子的自旋极化隧穿。
2.
The colossal magnetoresistance (CMR) effect and the low-field magnetoresistance (LFMR) of the electron-doped manganites La 1 -x Te x MnO 3 ( x =0.
实验结果表明 :在这种锰氧化物中同时存在庞磁阻 (CMR)效应和低场磁电阻 (LFMR)效应 。
4) enhanced low field magnetoresistance
低场增强磁电阻
1.
In this work, the main research content is enhanced low field magnetoresistance in two-phase perovskite manganese composition.
在体系中引入第二相物质形成复合相是低场增强磁电阻的一个有效方法。
5) room-temperature and low-field magnetoresistance
室温低场磁电阻
6) Low-field magnetic resistance at room temperature
低场室温磁电阻
补充资料：磁电阻效应
磁电阻效应
magneto-resistance effect
磁电阻效应magneto一resistanee effect强磁性、弱磁性金属和半导体材料的电阻率在磁场中产生的变化现象。简称磁阻效应。它是电流磁效应中的一种，与磁路中的磁阻不同。1856年W.汤姆孙(Thomson)首先发现金属的磁电阻效应。1930年L.W.舒布尼科夫(Shubnikov)和W.J.德哈斯(de Haas)发现金属秘(Bi)单晶体的电阻率在低温下随磁场变化时而发生振荡的现象。 磁电阻效应的产生，是由于磁场或磁有序状态改变了导体和半导体中载流子(电子和空穴)的散射情况，因而使电阻改变。广义的磁电阻效应有:①磁致电阻效应。又称汤姆孙效应。简称磁电阻效应、磁阻效应。②磁致电阻率振荡效应。常称舒布尼科夫一德哈斯效应。③磁致电阻率最小效应。又称近藤效应。磁(致)电阻效应表现在Fe、Ni等铁磁金属，在纵向(测电阻方向)磁化时，电阻率增加;在横向(垂直于测电阻方向)磁化时，电阻率减小。磁(致)电阻效应表现在Bi、Sb等抗磁性金属，则是在任何方向的磁场下，电阻率都增加，杂质对电阻率的影响显著。Bi的磁电阻效应最大，可用于测量磁场。钱普贝尔(Cham曲elD总结的实验性规律为:弱磁(抗磁和顺磁)性金属，不论在纵向或横向磁场中，磁电阻都增加，电阻增量约与磁场强度平方成正比;铁磁性金属，在纵向磁场中起初迅速增大，然后趋向饱和，但在横向磁场中，却是开始时缓慢减小，然后迅速减小，最后趋向饱和。 磁电阻效应已在磁记录头和磁传感器中得到应用。磁致电阻率振荡的舒布尼科夫一德哈斯效应，在低温强磁场情况下，在半金属和高g因数半导体(如Insb，1llAs)中特别显著，可用于研究能级结构和电子有效质量，还可研究一些物质的费米(Fermi)面。在电阻率温度关系中出现最小值的近藤效应，与固体中磁性掺杂和磁状态等密切相关，因而在磁学和固体理论研究中有重要应用。(李国栋)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条