1) low temperature buffer layer
低温缓冲层
1.
Molecular Beam Epitaxy (MBE) has been used to grow InSb heteroepilayer on GaAs (001) substrate with optimized low temperature buffer layer.
本文采用分子束外延(MBE)方法在GaAs(001)衬底上优化低温缓冲层生长条件制备了异质外延InSb薄膜,采用原子力显微镜(AFM)、扫描电镜(SEM)与X射线双晶衍射(DCXRD)等方法研究了InSb/GaAs薄膜的表面形貌与结晶质量。
2) double low-temperature buffers
双低温缓冲层
3) low temperature InP buffer
低温InP缓冲层
1.
High-quality InP epilayers were grown on GaAs substrates by using the ultrathin low temperature InP buffer layer.
借助超薄低温InP缓冲层,在GaAs衬底上生长出了高质量的InP外延层,在InP外延层中插入了15周期In0。
4) Low temperature Si buffer layers
低温Si缓冲层
5) Low temperature buffer technique
低温缓冲层技术
6) temperature of buffer layer
缓冲层温度
补充资料：缓冲层
分子式：
CAS号：
性质：斜交轮胎胎面与胎体之间的胶布层或胶层。其主要作用是缓和外来冲击，防止外层胶的龟裂直接抵达胎体帘布层，并承受轮胎在行驶时或突然停止时，由于惯性作用而产生的剪切应力。为此，它应具有较好的导热性、耐老化性、多次变形下的耐疲劳性和低生热性及耐热性等。所用的帘线强度必须高于胎体帘线。
CAS号：
性质：斜交轮胎胎面与胎体之间的胶布层或胶层。其主要作用是缓和外来冲击，防止外层胶的龟裂直接抵达胎体帘布层，并承受轮胎在行驶时或突然停止时，由于惯性作用而产生的剪切应力。为此，它应具有较好的导热性、耐老化性、多次变形下的耐疲劳性和低生热性及耐热性等。所用的帘线强度必须高于胎体帘线。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条