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1)  repulsive pinning
排斥性钉扎
2)  electric exclusion
电性排斥
3)  acute rejection
急性排斥
1.
Study of immunoregulation of 1,25(OH)_2D_3 in prevention of acute rejection of pancreas transplantation in diabetic rats;
1,25(OH)_2D_3对糖尿病大鼠胰腺移植后急性排斥反应的免疫调控研究
2.
Correlation between serum level of soluble CD30 and panel of reactivity antibodies before operation and early acute rejection after renal transplantation;
血清可溶性CD3和群体反应性抗体与肾移植术后早期急性排斥反应的关系
3.
Diagnose and treatment of delayed graft function with acute rejection after renal transplantation;
伴有急性排斥反应的移植肾功能延迟恢复的诊治
4)  chronic rejection
慢性排斥
1.
Expression of TNF-α and tissue adhesion molecules in renal allograft of chronic rejection;
肿瘤坏死因子和组织粘附分子在慢性排斥移植肾中的表达(英文)
2.
ObjectiveTo set up a renal orthotopic transplantation model in rat for studying renal transplantation chronic rejection.
【目的】建立大鼠原位肾移植研究肾移植慢性排斥的模型。
3.
Chronic rejection accounts for most renal allograft losses after the first year posttransplantation.
慢性排斥仍然是导致肾移植失败的主要原因。
5)  magnetic repelling
磁性排斥
1.
This paper presents two diffenent methods for magnetic repelling experiment.
本文介绍了两种不同的磁性排斥实验方法。
6)  exclusion-freeness
无排斥性
1.
Practical multi-party non-repudiation protocols must respect viability,fairness,timeliness,exclusion-freeness and confidentiality.
实用的多方不可否认协议必须具备存活性、公平性、时限性、无排斥性和保密性。
补充资料:磁通钉扎理论


磁通钉扎理论
theory of flux pinning

C J tongd旧gzhal一Iun磁通钉扎理论(theory of flux pinning)非理想第l类超导体中的缺陷对于磁通线的钉扎作用及其对超导体性能影响的有关理论。非理想第l类超导体中的磁通捕获和磁滞现象以及其磁通线呈不均匀分布均表明,磁通线除了受到洛仑兹力几作用外,还受到来自存在于超导体中的缺陷的作用力,称之为钉扎力,缺陷称之为钉扎中心。钉扎力起源于磁通线位于超导相和缺陷处具有不同的能量,磁通线挣脱钉扎中心需要外界提供能量。钉扎力单个钉扎中心和一根磁通线的相互作用力称为微观力/,微观力可表现为吸引力,也可以表现为排斥力,决定于钉扎中心的性质。对于一个在磁通线芯子处的小的异相正常粒子、其体积为V,用G一L理论计算求得其最大元钉扎力尹p约为: 尹p下叫烤麟罕}佘{“’{卜分卜 2V2尹0几\“亡2/\“cZ/式中H·为外加场强;HCZ为上临界场;脚为真空磁导率;价。为磁通量子体为G一L参量。微观上一大的体积元△V内的作用力的统计平均值为宏观力,可分为线钉扎力几—每单位长度磁通线所受到的钉扎力,和体钉扎力Fp—单位体积中磁通线所受到的钉扎力。由矢量线性叠加,有 、(r,一菩。,,./n(r)△。 Fp(r)=、(r)几(r)式中△V为求和体积元,其中心位于州af‘:为作用在第i根磁通线上的钉扎力,等于每个钉扎中心作用在这根磁通线上的钉扎力f‘的矢量和;n(r)为磁通线密度。理论计算结果表明: 九 CCf‘苦这一结果说明:不论微观力f’,为吸引力还是排斥力,宏观力几均表现为吸引力,即钉扎中心对磁通线有钉扎作用。 钉扎中心和钉扎机制在常规(低温)超导体中,由于其相干长度较大,充当磁通钉扎中心的缺陷有位错、界面和沉淀相粒子。其相应的钉扎力形成机制有凝聚能机制(如非共格沉淀粒子)、内应力场机制(如位错)以及镜像力机制(如表面、界面和晶粒间界)。对于共格脱溶相而言,内应力场机制和凝聚能机制均有贡献。在高温氧化物超导体中,由于其相干长度较短,大尺寸的缺陷已不能成为钉扎中心。 比恩(Bean)模型和临界态利用磁通钉扎概念,为了解释宏观磁化现象,比恩于1964年提出磁通线向超导体内渗透过程的模型,称为比恩模型:随着外磁场H。的增加,在穿透层中不断地形成磁通线一在洛仑兹力作用下,磁通线向超导体内运动一磁通线受到钉扎中心的阻挡以及越过钉扎中心进一步向超导体内部渗透,直至达到下列条件时磁通线分布不再随时间变化。这些条件是:(l)在超导体内,各处的钉扎力和洛仑兹力相等,即Fp(r)一Fl(:)。(2)在紧邻穿透层的区域内,召(o)二刀r(H。)。
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参考词条