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1)  Particle transport computation
粒子输运计算
2)  Neutron transportation calculation
中子输运计算
3)  Particles transport
粒子输运
1.
Simulation of plasma particles transport;
等离子体粒子输运模拟计算
4)  particle transport
粒子输运
1.
The parallel performance of solving the multi-group particle transport equations on the unstructure meshes is analyzed.
本文分析了非结构网格多群粒子输运Sn方程求解的并行性,拟合多核机群系统的特点,设计了MPI/OpenMP混合程序,针对空间网格点采用区域分解划分,计算结点间基于消息传递MPI编程,每个MPI计算进程在计算过程中碰到关于能群的计算,就生成多个OpenMP线程,计算结点内针对能群进行多线程并行计算。
5)  Transporting Calculation
输运计算
6)  Granular computing
粒子计算
1.
A simple and concrete granular computing model may be developed using the information table.
使用信息表可以开发简单、具体的粒子计算模型,智能数据分析从不同视角揭示嵌入数据内部的各种结构和知识类型,粒子计算提供了用于问题解决和信息处理的通用方法。
补充资料:半导体的导电与电荷输运


半导体的导电与电荷输运
conductance and charge transport in semiconductor

  “一斋<:>厂rE嚼。:丈“E4fod二于声学声子散射,r一3厂/8一1.18;而对于电离杂质散射,r二315厂/512=1 .93。在:与能量无关的情况下,r一1。如果n》P,有R一r(二皿)2一3 一 一一 、/ r /、式中E为电子能量。对P之0,有 e如果P》n,有 肠一丽轰在类似假设下,空穴迁移率召p也有类似洲n的公式,即有同时适用于电子与空穴的迁移率公式为 e(r>n,l、了(-r气—少 即召一~下沌不#取决于m‘和<价,在不同散射机制下有不同的表达式。对于电离杂质散射,相应迁移率召,为由上两式,如果测定了霍耳系数,据其符号可以确定半导体的导电类型,而据其数值可求出载流子浓度。对于n》p的情况,有R6~一塑n;对于力》”的情况,有RJ一举p。定义霍耳迁移率#。一}R6}。对于n》P或P》n的半导体都有丛区丝丝丝工广兰筋m*能3{,n〔‘+代墙早)2〕}一’式中N为电离杂质密度,‘是半导体介电常数。由于括号的量变化慢,近似有 ,,二(,,)一斌一‘T普对于声学声子散射,相应载流子迁移率角公式为 卫亘一r 召测量电导与霍耳系数,可以求出霍耳迁移率召H。它与漂移迁移率之比的数量级为1的因子r,它的具体数值取决于载流子散射机构。织涯呀e丫Cl3百护m·鲁(尤丁)3‘,州m,)一号T一号夯十几才刀犬二-犷一一一///十十式中Cll是半导体平均纵弹性常数;El是形变势常数,即晶格单位体积改变引起的能带边移动的绝对值。对于极性半导体(如GaAs)光学声子散射,相应的迁移率脚p为匕 丸21,11、一;腼一丽而面i劝丽落痴德、百一百,-·〔exp(骨卜1〕式中臼Lo为长波纵光学声子的频率,匀与‘分别为半导体静介电常数与光频介电常数。 对于几种散射机构同时起作用的情况,载流子迁移率由这几种散射机构共同确定。设3种散射机构单独起作用时,迁移率分别为角、脚和灼,则三者同时存在条件下的载流子漂移迁移率户近似由下式确定l召一工一+土十1-召l召2召a 霍耳系数半导体中,若同时存在电流I及与电流相垂直的磁感应强度B(分别在图2中x与之方向上),当载流子是电子(空穴)时,它就逆(沿)着I的方向而漂移;另一方面,它又受到洛伦兹力作用,相对漂移运动方向偏转,在垂直于电场与磁场的y方向上引起正比于I与B的横向电场肠,对电子与空穴来说,其方向正相反,该现象称为霍耳效应。肠可写为:肠二尺石日,式中R为与I、B无关的常数,称霍耳系数R一rl eP一bZ”(P+b”)式中b一肠/脚,r一<尸>/(价2。在非简并情况下,对 图竺霍耳效应不意图 a载流子为电子b载流子为空穴 磁阻假设磁场足够弱,并不影响半导体样品的电导或电阻;如果磁场强,则发现半导体的电阻显著增大,这一现象称为磁阻效应。磁阻通常定义为磁场作用下电阻值的相对变化 -全卫一三宜二鱼 P Po式中P0和pB分别为没有磁场和有磁场时半导体的电阻率。设磁场方向与电流方向垂直(相应磁阻称为横向磁阻),对于刀》P的情况,△p/p。竺1『2‘BZ;对于P》刀防祛。△P~,八一2二2D2,、二_,,、,,八2/、,的情况,~二10一z‘BZ。这里#n或召p以10 em“/(V·s) 户。”一·--·一_为单位,而B以10‘高斯为单位。 强电场下电导与热载流子在弱电场情况下,电流密度J与载流子漂移速度都正比于电场强度,即电导率与载流子迁移率都是与电场无关的常数。但是当电场增强到一定程度(对于许多半导体,为10”V/cm量级),载流子漂移速度与电场之间的正比关系不能保持。锗、硅及砷化稼中载流子漂移速度与电场强度之间关系见图3。从图3可见,电场进一步增强时,锗与硅中载流子的漂移速度达到饱和值。在更强的电场下出现碰撞离化,载流子密度增加。
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参考词条