1) effect of embedment
基础埋置效应
2) embedded foundation
埋置基础
1.
Considering the interactions between the embedded foundation and the soil,the torsional vibrations of a rigid cylindrical foundation partially embedded in transversely isotropic saturated soil are analysed.
考虑埋置基础侧面和底面地基与基础的相互作用,研究了埋置于横观各向同性饱和地基中刚性圆柱基础的扭转振动问题。
4) embedded block foundation
块式埋置基础
1.
In this paper,two methods of evaluating the effects of embedment on stiffness and damping ratio of subsoil for embedded block foundations were compared.
本文对美国《基础工程手册》中推荐的块式埋置基础地基刚度和阻尼比的计算公式和我国《动力机器基础设计规范》(GB 50040—96)中的相关规定和公式进行了对比分析。
5) depth of embedded foundation
基础的埋置深度
6) depth of foundation
基础埋置深度
补充资料：场效应晶体管的分类方法以及基础知识介绍
场效应晶体管(FET)简称场效应管，它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。
按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条