说明:双击或选中下面任意单词,将显示该词的音标、读音、翻译等;选中中文或多个词,将显示翻译。
您的位置:首页 -> 词典 -> 载流子输运机制
1)  carrier transport mechanism
载流子输运机制
2)  Carrier transport
载流子输运
1.
Comparing with the great achievement of experiment, the physical theory of the electric carrier transport in organic solid electric devices is insufficient, which greatly restricts to improve the performance of the organic solid electric devices.
由于有机半导体器件载流子的输运机理不同于无机半导体器件,所以建立一套适用于有机半导体器件载流子输运机理的理论模型非常的重要。
2.
The exciton dissociation and carrier transport properties of pristine as well as doped random polymer have been investigated.
本论文研究了共轭聚合物MEH-PPV及其掺杂体系中的激子离化和载流子输运特性。
3.
Based on the theory of energy band and breakdown,it is considered to be a comprehensive result of redistribution of electric field on heterostructure device and the carrier transport and breakdown barriers under the electric field.
基于能带理论和隧穿理论认为,这是由于器件上电场的重新分布和电场作用下载流子输运及隧穿势垒作用的综合结果。
3)  carriers transport
载流子输运
1.
Based on the Fowler-Nordheim tunneling injection,a model for carriers transport and recombination in organic single-layer devices at high electric field is presented.
以高场作用下载流子对三角势垒的Fowler Nordheim隧穿理论为基础 ,建立了单层有机电致发光器件中载流子输运和复合发光模型 ,给出了薄膜中电子 空穴对的解离和复合概率及电子和空穴的密度分布 。
2.
Based on the Fowler-Nordheim tunneling injection, a model for carriers transport and recombination inorganic single layer devices at high electric field is presented.
以高场作用下载流子对三角势垒的Fowler-Nord heim隧穿理论为基础,建立了单层有机电致发光器件中载流子输运和复合发光模型,给出了薄膜中电子—空穴对的解离和复合概率及电子和空穴的密度分布。
4)  carrier transportation
载流子输运
1.
Improved drift-diffusion model to describe the carrier transportation in photovoltaic semiconductor detectors under any power laser irradiation has been proposed.
提出了改进的描述光伏型半导体光电探测器中载流子输运的漂移-扩散模型,该模型能适合更高强度的激光辐照,可以模拟光生载流子的长时间过程。
2.
Most of the research work that has been carried out in this field is to measure the damage threshold and to investigate the damage mechanism of various detectors, while the study of carrier transportation and dynamic response of detectors .
强激光辐照半导体探测器时既产生光电效应又产生热效应,以传统的描述半导体探测器中载流子输运的漂移—扩散模型为基础,提出了改进的漂移—扩散模型。
5)  transportation of carriers
载流子的输运
1.
The transportation of carriers in electroluminescent organic thin films is studied.
研究电致发光有机薄膜中载流子的输运过程 ,迁移率是描述输运过程的关键物理量 。
6)  carrier transport.materials
载流子输运材料
补充资料:半导体的导电与电荷输运


半导体的导电与电荷输运
conductance and charge transport in semiconductor

  “一斋<:>厂rE嚼。:丈“E4fod二于声学声子散射,r一3厂/8一1.18;而对于电离杂质散射,r二315厂/512=1 .93。在:与能量无关的情况下,r一1。如果n》P,有R一r(二皿)2一3 一 一一 、/ r /、式中E为电子能量。对P之0,有 e如果P》n,有 肠一丽轰在类似假设下,空穴迁移率召p也有类似洲n的公式,即有同时适用于电子与空穴的迁移率公式为 e(r>n,l、了(-r气—少 即召一~下沌不#取决于m‘和<价,在不同散射机制下有不同的表达式。对于电离杂质散射,相应迁移率召,为由上两式,如果测定了霍耳系数,据其符号可以确定半导体的导电类型,而据其数值可求出载流子浓度。对于n》p的情况,有R6~一塑n;对于力》”的情况,有RJ一举p。定义霍耳迁移率#。一}R6}。对于n》P或P》n的半导体都有丛区丝丝丝工广兰筋m*能3{,n〔‘+代墙早)2〕}一’式中N为电离杂质密度,‘是半导体介电常数。由于括号的量变化慢,近似有 ,,二(,,)一斌一‘T普对于声学声子散射,相应载流子迁移率角公式为 卫亘一r 召测量电导与霍耳系数,可以求出霍耳迁移率召H。它与漂移迁移率之比的数量级为1的因子r,它的具体数值取决于载流子散射机构。织涯呀e丫Cl3百护m·鲁(尤丁)3‘,州m,)一号T一号夯十几才刀犬二-犷一一一///十十式中Cll是半导体平均纵弹性常数;El是形变势常数,即晶格单位体积改变引起的能带边移动的绝对值。对于极性半导体(如GaAs)光学声子散射,相应的迁移率脚p为匕 丸21,11、一;腼一丽而面i劝丽落痴德、百一百,-·〔exp(骨卜1〕式中臼Lo为长波纵光学声子的频率,匀与‘分别为半导体静介电常数与光频介电常数。 对于几种散射机构同时起作用的情况,载流子迁移率由这几种散射机构共同确定。设3种散射机构单独起作用时,迁移率分别为角、脚和灼,则三者同时存在条件下的载流子漂移迁移率户近似由下式确定l召一工一+土十1-召l召2召a 霍耳系数半导体中,若同时存在电流I及与电流相垂直的磁感应强度B(分别在图2中x与之方向上),当载流子是电子(空穴)时,它就逆(沿)着I的方向而漂移;另一方面,它又受到洛伦兹力作用,相对漂移运动方向偏转,在垂直于电场与磁场的y方向上引起正比于I与B的横向电场肠,对电子与空穴来说,其方向正相反,该现象称为霍耳效应。肠可写为:肠二尺石日,式中R为与I、B无关的常数,称霍耳系数R一rl eP一bZ”(P+b”)式中b一肠/脚,r一<尸>/(价2。在非简并情况下,对 图竺霍耳效应不意图 a载流子为电子b载流子为空穴 磁阻假设磁场足够弱,并不影响半导体样品的电导或电阻;如果磁场强,则发现半导体的电阻显著增大,这一现象称为磁阻效应。磁阻通常定义为磁场作用下电阻值的相对变化 -全卫一三宜二鱼 P Po式中P0和pB分别为没有磁场和有磁场时半导体的电阻率。设磁场方向与电流方向垂直(相应磁阻称为横向磁阻),对于刀》P的情况,△p/p。竺1『2‘BZ;对于P》刀防祛。△P~,八一2二2D2,、二_,,、,,八2/、,的情况,~二10一z‘BZ。这里#n或召p以10 em“/(V·s) 户。”一·--·一_为单位,而B以10‘高斯为单位。 强电场下电导与热载流子在弱电场情况下,电流密度J与载流子漂移速度都正比于电场强度,即电导率与载流子迁移率都是与电场无关的常数。但是当电场增强到一定程度(对于许多半导体,为10”V/cm量级),载流子漂移速度与电场之间的正比关系不能保持。锗、硅及砷化稼中载流子漂移速度与电场强度之间关系见图3。从图3可见,电场进一步增强时,锗与硅中载流子的漂移速度达到饱和值。在更强的电场下出现碰撞离化,载流子密度增加。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条