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1)  β-SiC Films
β-SiC 薄膜
2)  SiC films
SiC薄膜
1.
Study on the wear-resistance SiC films prepared by magnetron sputtering on steel;
钢基耐磨SiC薄膜制备研究
2.
Study of 3C-SiC and 4H-SiC films deposited using RF sputtering method;
射频溅射法制备3C-SiC和4H-SiC薄膜
3.
The retarding effects of SiC films on tritium permeation
SiC薄膜的阻氚性能研究
3)  SiC thin film
SiC薄膜
1.
Polysilynes, a new kind of high-performance materials, are reviewed on the present investigation of their synthesis, structure, reactions and applications as semiconductors, conductive SiC thin films, optical waveguides and photoresists.
本文综述了一类新型的高功能材料——聚硅炔的合成、结构、反应以及作为半导体、导电性SiC薄膜、光学波导器和光致抗蚀剂的应用的研究现状。
4)  SiC film
SiC薄膜
1.
Application of sputtering technology in the SiC film preparation;
溅射技术在制备SiC薄膜中的应用
2.
Effects of annealing temperature on surface morphology and structure of SiC film
退火温度对SiC薄膜表面形貌和结构的影响
3.
Mn-doped SiC films were grown by radio frequency magnetron sputtering on silicon substrate.
采用射频磁控溅射的方法在Si衬底上制备了掺Mn的SiC薄膜,用X射线衍射、傅里叶变换红外光谱、扫描电镜及荧光光谱等方法,对薄膜的结构、表面形貌、化学键状态和光学性能进行了研究。
5)  6H-SiC films
6H-SiC薄膜
1.
Heteroepitaxial growth and characterization of 6H-SiC films on C-plane sapphire substrates using LPCVD;
C面蓝宝石衬底上6H-SiC薄膜的低压化学气相外延生长与表征
6)  3C-SiC films
3C-SiC薄膜
1.
Influence of Temperature of Carbonization Gas Introduction on the Growth of 3C-SiC films;
碳化气体引入温度对3C-SiC薄膜生长的影响(英文)
补充资料:1-[β,β,β-三(对氯苯基)丙酰]-4-甲基哌嗪
分子式:C26H25CL3N2O
分子量:487.85
CAS号:2390-22-9

性质:该品溶点213-215℃。作兽用驱虫药时常用基盐,又称Dieroden。盐酸盐的熔点为267-269℃,易溶于热水和醇。

制备方法:以三(对氯苯基)甲醇(Ⅰ)为原料,与氰乙酸加成得β,β,β-三(对氯苯基)丙腈(Ⅱ),经浓硫酸水解得β,β,β-三(对氯苯基)丙酸(Ⅲ),再用五氯化磷酰氯化,得到β,β,β-三(对氯苯基)丙酰氯(Ⅳ),最后与N-甲基哌嗪缩合制得海涛林。

用途:该品为治疗牛、羊矛形腔吸虫病的高效药物,具有作用强、驱虫率高(96%以上)、毒性低、适口性好等优点,国外畜牧业应用十分广泛。

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