1) Tetrahedral Amorphous Carbon film
四面体非晶碳膜
2) tetrahedral amorphous carbon (ta-C) film
四面体非晶碳(ta-C)膜
3) tetrahedral carbon films
四面体非晶碳薄膜
4) tetrahedral amorphous carbon
四面体非晶碳
1.
Effect of boron doping on the electrical conduction of tetrahedral amorphous carbon films;
硼掺杂对四面体非晶碳膜电导性能的影响
5) phosphorus incorporated tetrahedral amorphous carbon(ta-C:P)
掺磷四面体非晶碳
6) amorphous carbon film
非晶碳膜
1.
N-implantation into amorphous carbon films with different doses was carried out to study the formation of CN bonding.
利用Raman和XPS研究N离子注入前后非晶碳膜化学键合的变化及CN成键情况。
2.
So it is important to analyze the sp~2 and sp~3content in amorphous carbon film qualitatively or quantitatively.
sp2和sp3碳原子的比例是决定非晶碳膜的结构和性能的重要参数。
补充资料：非金属晶须增强体
分子式：
CAS号：
性质：又称陶瓷晶须增强体。由非金属材料及金属氧化物，如二氧化硅、氧化镁、氮化硅、碳化硅、碳化硼、氧化铍及氧化铝、石墨等制成的晶须。各种非金属晶须的直径比最细纤维还微细(小于10μm)，长度由零点几毫米到数十毫米，最高模量可达100GPa数量级，最高熔点可达3500℃左右。陶瓷晶须因具有高强度、高模量的耐高温等突出优点，被用作复合材料的增强体可大大增加陶瓷基体、金属基体、树脂基体的力学性能。如用20％～30％氧化铝晶须增强金属，得到的复合材料强度在室温下比金属增加近30倍。作为增强体时，晶须用量多在35％(体积)以下。陶瓷晶须可大致分为非氧化物类和氧化物类两类。前者，如碳化硅和氮化硅，具有高达1900℃以上的熔点，故耐高温性好，多用于增强陶瓷基和金属基复合材料，但成本较高。氧化物陶瓷晶须，如CaSO4、K2O·6TiO2、2MgO·B2O3和nAl2O3·mB2O3(n=9～2，m=2～1)等，具有较高的熔点(1000～1600℃)和耐热性，可用作树脂基和铝基复合材料增强体。
CAS号：
性质：又称陶瓷晶须增强体。由非金属材料及金属氧化物，如二氧化硅、氧化镁、氮化硅、碳化硅、碳化硼、氧化铍及氧化铝、石墨等制成的晶须。各种非金属晶须的直径比最细纤维还微细(小于10μm)，长度由零点几毫米到数十毫米，最高模量可达100GPa数量级，最高熔点可达3500℃左右。陶瓷晶须因具有高强度、高模量的耐高温等突出优点，被用作复合材料的增强体可大大增加陶瓷基体、金属基体、树脂基体的力学性能。如用20％～30％氧化铝晶须增强金属，得到的复合材料强度在室温下比金属增加近30倍。作为增强体时，晶须用量多在35％(体积)以下。陶瓷晶须可大致分为非氧化物类和氧化物类两类。前者，如碳化硅和氮化硅，具有高达1900℃以上的熔点，故耐高温性好，多用于增强陶瓷基和金属基复合材料，但成本较高。氧化物陶瓷晶须，如CaSO4、K2O·6TiO2、2MgO·B2O3和nAl2O3·mB2O3(n=9～2，m=2～1)等，具有较高的熔点(1000～1600℃)和耐热性，可用作树脂基和铝基复合材料增强体。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条