3) optical cavity
光学谐振腔
1.
The reflectivity of optical mirrors can be obtained by measuring linewidth of transmission spectrum of optical cavity and the fineness of Fabry-Perot (F-P) cavity.
谐振腔精细度法是通过测量光学谐振腔透射谱线宽度来实现对光学反射镜反射率的测定。
2.
The design of the BFEL optical cavity s 5 D precise remote control adjuster is described.
论述了北京自由电子激光 (BFEL)光学谐振腔真空机械五维精密遥控调节装置的设计考虑 。
3.
With the peak-seeking servo-controlled technology based on a residual error,an external optical cavity can keep in resonance with the frequency of Ti-sapphire laser in the experiment.
基于有差伺服调节技术,实现了外置光学谐振腔的共振频率与钛宝石激光器工作频率的锁定。
4) Resonator
[英]['rezəneɪtə(r)] [美]['rɛzə'netɚ]
光学谐振腔
1.
Based on our investigation results, some key problems and techniques concerning slab lasers, such as the thermal effects, pumping cavity and resonators, are analyzed physically.
结合作者部分工作,对板条激光器的热效应、聚光器和光学谐振腔等关键问题和技术进行了物理分析。
5) optical resonator
光学谐振腔
1.
Geometrical graphic method of designing optical resonator and its applications;
光学谐振腔设计的几何作图方法及其应用
2.
The numerical and graphical functions of MATLAB language are used in the design of the optical resonators.
本文将MATLAB的数值计算和图形功能用于光学谐振腔的设计中。
6) optical parametric oscillation
光学参量谐振腔
1.
Generation of 4.0 μm optical parametric oscillation with periodically poled MgO∶LiNbO_3;
基于周期极化MgO∶LiNbO_3的4.0μm光学参量谐振腔的产生(英文)
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条