1) Nonlinear growth
非线性扩张
1.
We present and investigate a general nonlinear growth network model which incorporates accelerated growth of nodes and edges.
本文提出了一个非线性扩张的复杂网络模型,在这个模型中,同时考虑了节点和边的非线性增长。
2) linear extensions
线性扩张
1.
Approach to group decision-making based on linear extensions;
基于线性扩张的群决策方法
2.
The ranking probability between alternatives for each criterion is worked out by using the linear extensions of the partial order,and then the preference degree between alternatives is obtained through defining the preference relation.
该方法首先利用偏序的线性扩张求出方案集在各个属性下的排列概率,进而定义一偏好关系的概念,得到每对方案间的偏好度,然后采用OWA算子对决策群体进行集结,集结后的群体偏好具有偏序特征,能更真实地体现现实的决策问题,并且最大程度地反映了决策群体的偏好。
3) Asymptotically nonexpensive mappings
渐近非线性扩张映象
4) irrational expansion
非理性扩张
1.
This article firstly narrated the rational growth and irratio-nal expansion in logistics,then studied the logistic growth-up model from marginal profit and demand of investment,and probed into the intrinsic mechanism of logistic rational growth and irrational expansion,at the end of this article discovered the scient.
本文首先对物流业的理性增长与非理性扩张进行了界定,其次从投资的边际利润和需求两个角度研究了物流业增长模型,探讨了物流业的理性增长与非理性扩张的内在机理,最后还研究了防止物流业非理性扩张的科学机制。
2.
To begin with, the paper illustates an irrational expansion of Intellectual Property Right greatly propagandized by America and European countries.
本文首先描述了在以美国等发达国家的极力鼓噪下知识产权非理性扩张的一般图像,在此基础上,笔者从知识产权制度与所有权制度哲学理念之差的视角切入,对知识产权制度的非正常发展进行了剖析和解读。
5) tensorial nonlinearity
张量非线性
6) nonlinear tension
非线性张力
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条