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1)  Weak-type(p,p)
弱(p,p)型
2)  p menus type GaN
弱p型GaN
3)  P-P model
P-P模型
1.
Volterra advanced P-P model: the predator-prey model in the 20th century.
自从20世纪20年代,P-P模型:捕食者-猎物模型被Volterra提出后,它就成功的解释生物界的一些现象,例如:物种个体迁移、竞争现象、捕食现象、利他主义对生态系统的影响等。
4)  p-type
p型
1.
Effects of Substrate Temperature on the Properties of N-doped p-type ZnO Films Deposited by DC Reactive Sputtering;
衬底温度对直流反应磁控溅射法制备的N掺杂p型ZnO薄膜性能的影响(英文)
2.
Recent Research of Cu-based Transparent Conducting Materials with p-type;
p型含铜透明导电材料的新进展
3.
First-principles Calculation on Codoping Structure of p-type ZnO;
氧化锌p型共掺杂精细结构的第一性原理研究
5)  P type
P型
1.
Serotyping and genotyping of G and P types of rotavirus from infantile diarrhea in Fujian Province;
福建省婴幼儿腹泻轮状病毒G型和P型的分型研究
2.
The growth techniques of P type GaN and Al 0 13 Ga 0 87 N by MOVPE, including the doping dosage and thermal anneal, and their influences on the electrical property of the materials are studied.
研究了MOVPE方法外延P型GaN和Al0 13Ga0 87N的生长工艺 ,包括掺杂剂量和热退火条件 ,对材料电学性质的影响。
6)  type p
P型
补充资料:普适费密型弱相互作用理论
      又称V-A理论,是一种适用于部分低能弱相互作用现象的唯象理论。
  
  1934年,基于当时了解的实验事实,E.费密建议,基本的弱作用是费密子之间的作用,可由下列包含四个费密子场算符的哈密顿算符描写:
  
   (1)
  其中ψi(i=1,2,3,4)是费密子场算符;是狄喇克矩阵的组合,有标量(S)、赝标量(P)、矢量(V)、赝矢量(A)和张量(T)五种类型。1956年,李政道和杨振宁研究宇称不守恒现象时将上述哈密顿算符唯象地改为
  
   (2)
  1957~1958年,随着弱作用实验和理论分析的进展,首先由R.E.马夏克和E.C.G.苏达香提出基本的弱相互作用可以归结为矢量型(V)和赝矢量型(A)两种,相应的耦合常数GV和GA大小相等,符号相反,即
  
   (3)
  这种 V-A型的理论,常称为普适费密弱作用理论。从目前的实验结果看,对于粒子2与粒子1(因此粒子3与4)的电荷相差±e的弱过程,式(3)与实验符合。对于轻子是如此,对于夸克(见强子结构),只要将 ψ选为适当的夸克场的归一组合,式 (3)也成立。对于不同的过程,GF是一个常数,称为普适费密弱作用常数,其实验值为GF=(1.16637±0.00002)×10-5GeV。
  
  现在弱作用的更精密的理论是电弱统一的标准模型(即电弱统一理论)。普适费密弱作用是标准模型中W±粒子传递的部分的低能极限。
  

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