1) semiconductor saturable absorber
半导体可饱和吸收体
2) Semiconductor Saturable Absorption Mirror(SESAM)
半导体可饱和吸收镜
1.
The passive Q-switched and mode-locked operations were realized in a flashlamp pumped Nd:YAG laser with the same Semiconductor Saturable Absorption Mirror(SESAM) under the different conditions.
基于同一块半导体可饱和吸收镜(SESAM),实现了闪光灯抽运的Nd∶YAG激光器的被动调Q与锁模。
3) semiconductor saturable absorber mirror
半导体可饱和吸收镜
1.
Passively mode-locked Nd∶Gd_(0.1)Y_(0.9)VO_4 laser with a semiconductor saturable absorber mirror
半导体可饱和吸收镜锁模的钒酸盐混晶Nd∶Gd_(0.1)Y_(0.9)VO_4激光器
2.
3 MHz steady continuous wave (CW) passive mode-locked fiber laser is realized using semiconductor saturable absorber mirror (SESAM),highly-doped Yb fiber and fiber Bragg grating (FBG).
设计了包含半导体可饱和吸收镜(SESAM)、单包层高掺Yb增益光纤和光纤布拉格光栅(FBG)的全光纤激光器,实现了皮秒级,中心波长约为1064 nm,3 dB线宽约为0。
3.
For studying the passively mode-locked character of semiconductor saturable absorber mirror(SESAM),a semiconductor saturable absorber mirror,made by Institude of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,was used to obtain a passivel mode-locked Nd∶YAG laser with a simple straight cavity.
为了研究半导体可饱和吸收镜的被动锁模特性,采用中科院半导体所提供的半导体可饱和吸收镜,实现了脉冲式Nd∶YAG激光器1。
4) semiconductor saturable absorption mirror
半导体可饱和吸收镜
1.
Development of visible ultrashort pulse laser realized by semiconductor saturable absorption mirror as an absorber for passive modelocking;
半导体可饱和吸收镜作为被动锁模吸收体实现超短脉冲可见激光发展状况
2.
In this article,the feasibility,research status and future tendancy of high power femtosecond ceramic laser modelocked with semiconductor saturable absorption mirror are discussed.
本文探讨了使用半导体可饱和吸收镜实现被动锁模大功率陶瓷飞秒激光器的可行性,研究现状以及未来趋势。
3.
Bragg mirror type of semiconductor saturable absorption mirror near 800 nm was made first time in China, by which we realized passive continuous wave modelocking for Arion laser pumped Ti-sapphire laser.
我们在国内首先研制成功波长为800nm附近布拉格反射镜型半导体可饱和吸收镜。
5) SESAM
半导体可饱和吸收镜
1.
SESAM Started KLM Cr~( 4+)∶YAG Laser;
半导体可饱和吸收镜自启动的Kerr锁模Cr~(4+)∶YAG激光器
2.
SESAM Technology and Application in Yb～(3+): Fiber Laser;
半导体可饱和吸收镜的研制及其在Yb～（3+）光纤激光器的应用
3.
Using a novel transmitted type semiconductor saturable absorber mirror(SESAM) as an output coupler,a Yb3+ doped double-clad Q-switching mode-locking fiber laser is constructed.
利用一种新型的透过式半导体可饱和吸收镜,实现双包层掺Yb3+光纤激光器调Q锁模脉冲激光输出。
6) semiconductor saturable absorber mirror (SESAM)
半导体可饱和吸收镜
1.
The five-mirror laser cavity containing a semiconductor saturable absorber mirror (SESAM) with negative Kerr effect is theoretically analyzed for the first time.
基于半导体可饱和吸收镜(SESAM)的负克尔效应,对含SESAM的五镜腔进行了理论计算和分析。
2.
A high-efficiency and stable ps mode-locked Nd∶YAG laser that used a semiconductor saturable absorber mirror (SESAM) is reported.
利用自行研制的半导体可饱和吸收镜 (SESAM ) ,在 5W光纤耦合半导体激光器端面抽运的Nd∶YAG激光中 ,实现了半导体可饱和吸收镜被动锁模 ,获得了稳定的皮秒锁模激光输出。
补充资料：高聚物半导体、导体、超导体
根据物质电导率的大小可按图1加以分类。
一般高聚物为绝缘体，这是由于其外层电子定域化所致。20世纪50年代末期，人们为了扩展高聚物的应用，用改变化学结构的方法来改变其电性能，如引入共轭双键或形成电荷转移络合物等使价电子非定域化，高聚物的电导率可发生十几至几十个数量级的变化，从而制成高聚物半导体、高聚物导体、高聚物超导体。
高聚物半导体的导电机理 为了说明导电现象, 对晶态高聚物通常采用能带模型；对非晶态高聚物用跳跃模型。按能带理论，在具有长程有序和原子密集的固体中，高聚物半导体同金属半导体一样，其能级形成导带和价带，中间为一能隙分隔，电子经激化进入导带而在价带中留下空穴，也起电荷载流子的作用。
高聚物半导体的电导率σ依赖于载流子的浓度n、电荷 q和迁移率μ，其关系为σ＝nqμ。电导率与温度有关，它服从阿伦尼乌斯关系，即：
σ＝σ0exp(－Ec/kT) 式中σ0为一常数；Ec为电导活化能；k为玻耳兹曼常数；T为绝对温度。因此其电导率随温度升高而增高;而导体则相反，电导率随温度升高而降低。
分类 长共轭体系 非成键电子或π键电子经激活后很易生成载流子，如它们是在一个共轭体系中非定域化的,就能形成一个高迁移率的内部传导通路,所以长共轭体系形成的是第一类半导体。如聚乙炔的导电性好，但极容易自动氧化生成-CH匉CH-CO-结构而使电导率显著降低。卤素掺杂可使聚乙炔薄膜的电导率发生十几个数量级的变化，使它从绝缘体经半导体变成导体，可做成n型和p型膜，以制成原电池或充电电池。
平面π电子体系 由于π键电子比σ键电子有较好的分子间轨道重叠，所以平面芳香性分子可以像卡片那样堆积, 其面间距不大于石墨的面间距 (0.335纳米)。在垂直于分子平面的方向也能形成电导通路， 所以平面π电子体系的堆积是第二类有机半导体或导体。例如聚丙烯腈在 250～600℃时通过热处理得到共轭体系结构(图2)，电导率可达10-2欧-1·厘米-1。乙烯基乙炔经正离子催化聚合得梯型聚合物，经 150～400℃热处理,得到电导率为10-5欧-1·厘米-1的共轭稠环聚合物(图3)。含酞菁结构的金属聚酞菁的电导率随螯合中心金属的不同而异。铜聚酞菁电阻率为5.3×103欧·厘米，而铁、锌、锡等聚酞菁的电阻率约为106欧·厘米,含二茂铁的高聚物在部分Fe(Ⅱ)被氧化为Fe(Ⅲ)后电导率可从10-14欧-1·厘米-1提高至10-6欧-1·厘米-1。 电化学法制得的BF嬄掺杂的杂环的聚吡咯－BF4以及用AsF5或碱金属掺杂的聚亚苯基、聚对亚苯基乙炔和聚苯硫醚都具有金属电导。
电荷转移络合物 在电子给体－受体相互作用时生成电荷转移络合物。通常，这类高聚物的电子给体是带在一个烯类聚合物（如聚乙烯吡啶、聚乙烯咔唑、聚乙烯基萘等）上的，电子受体是低分子化合物（如卤素、氰基化合物、硝基化合物等），所形成的高分子电荷转移络合物在可见光谱上有电荷转移吸收带，其电导率往往比其对应的单体电荷转移络合物为低,如聚乙烯咔唑-三硝基芴酮是很重要的光导材料。又如聚2-乙烯吡啶与碘的电荷转移络合物已被用于心脏起搏器中锂－碘原电池的阳极。
高聚物光电导体 物质吸收光后产生导电载流子的现象叫光电效应。光电导材料是指那些在光照时导电性增加的材料，也就是材料在黑暗中是绝缘的，受光激发后是导电的，例如聚N－乙烯咔唑已用于静电复印,其光导性是1957年由H.霍格耳发现的，它在可见光下为绝缘体，但经三硝基芴酮增敏后，发生电荷转移，使吸收迁移到可见光区而呈光电导，载流子沿着高分子链相邻的咔唑环进行跳跃传递。
高聚物超导体 70年代初M.M.拉贝斯等发现聚氮化硫晶体具有金属性;1975年R.L.格林等报道了它在0.26K出现超导性。它是第一个高聚物超导体,是抗磁性的金属晶体，属单斜晶系,分子是线型的（图4），其各向异性较大。
一般高聚物为绝缘体，这是由于其外层电子定域化所致。20世纪50年代末期，人们为了扩展高聚物的应用，用改变化学结构的方法来改变其电性能，如引入共轭双键或形成电荷转移络合物等使价电子非定域化，高聚物的电导率可发生十几至几十个数量级的变化，从而制成高聚物半导体、高聚物导体、高聚物超导体。
高聚物半导体的导电机理 为了说明导电现象, 对晶态高聚物通常采用能带模型；对非晶态高聚物用跳跃模型。按能带理论，在具有长程有序和原子密集的固体中，高聚物半导体同金属半导体一样，其能级形成导带和价带，中间为一能隙分隔，电子经激化进入导带而在价带中留下空穴，也起电荷载流子的作用。
高聚物半导体的电导率σ依赖于载流子的浓度n、电荷 q和迁移率μ，其关系为σ＝nqμ。电导率与温度有关，它服从阿伦尼乌斯关系，即：
σ＝σ0exp(－Ec/kT) 式中σ0为一常数；Ec为电导活化能；k为玻耳兹曼常数；T为绝对温度。因此其电导率随温度升高而增高;而导体则相反，电导率随温度升高而降低。
分类 长共轭体系 非成键电子或π键电子经激活后很易生成载流子，如它们是在一个共轭体系中非定域化的,就能形成一个高迁移率的内部传导通路,所以长共轭体系形成的是第一类半导体。如聚乙炔的导电性好，但极容易自动氧化生成-CH匉CH-CO-结构而使电导率显著降低。卤素掺杂可使聚乙炔薄膜的电导率发生十几个数量级的变化，使它从绝缘体经半导体变成导体，可做成n型和p型膜，以制成原电池或充电电池。
平面π电子体系 由于π键电子比σ键电子有较好的分子间轨道重叠，所以平面芳香性分子可以像卡片那样堆积, 其面间距不大于石墨的面间距 (0.335纳米)。在垂直于分子平面的方向也能形成电导通路， 所以平面π电子体系的堆积是第二类有机半导体或导体。例如聚丙烯腈在 250～600℃时通过热处理得到共轭体系结构(图2)，电导率可达10-2欧-1·厘米-1。乙烯基乙炔经正离子催化聚合得梯型聚合物，经 150～400℃热处理,得到电导率为10-5欧-1·厘米-1的共轭稠环聚合物(图3)。含酞菁结构的金属聚酞菁的电导率随螯合中心金属的不同而异。铜聚酞菁电阻率为5.3×103欧·厘米，而铁、锌、锡等聚酞菁的电阻率约为106欧·厘米,含二茂铁的高聚物在部分Fe(Ⅱ)被氧化为Fe(Ⅲ)后电导率可从10-14欧-1·厘米-1提高至10-6欧-1·厘米-1。 电化学法制得的BF嬄掺杂的杂环的聚吡咯－BF4以及用AsF5或碱金属掺杂的聚亚苯基、聚对亚苯基乙炔和聚苯硫醚都具有金属电导。
电荷转移络合物 在电子给体－受体相互作用时生成电荷转移络合物。通常，这类高聚物的电子给体是带在一个烯类聚合物（如聚乙烯吡啶、聚乙烯咔唑、聚乙烯基萘等）上的，电子受体是低分子化合物（如卤素、氰基化合物、硝基化合物等），所形成的高分子电荷转移络合物在可见光谱上有电荷转移吸收带，其电导率往往比其对应的单体电荷转移络合物为低,如聚乙烯咔唑-三硝基芴酮是很重要的光导材料。又如聚2-乙烯吡啶与碘的电荷转移络合物已被用于心脏起搏器中锂－碘原电池的阳极。
高聚物光电导体 物质吸收光后产生导电载流子的现象叫光电效应。光电导材料是指那些在光照时导电性增加的材料，也就是材料在黑暗中是绝缘的，受光激发后是导电的，例如聚N－乙烯咔唑已用于静电复印,其光导性是1957年由H.霍格耳发现的，它在可见光下为绝缘体，但经三硝基芴酮增敏后，发生电荷转移，使吸收迁移到可见光区而呈光电导，载流子沿着高分子链相邻的咔唑环进行跳跃传递。
高聚物超导体 70年代初M.M.拉贝斯等发现聚氮化硫晶体具有金属性;1975年R.L.格林等报道了它在0.26K出现超导性。它是第一个高聚物超导体,是抗磁性的金属晶体，属单斜晶系,分子是线型的（图4），其各向异性较大。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条